[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

布线板，具有：上面，沿着所述上面的第一上面边形成的多个第一接合引线，沿着面对所述上面的第一上面边的第二上面边形成的多个第二接合引线，与所述上面相反的下面，以及形成在所述下面上的多个凸块连接盘，所述上面在平面图中的形状为四边形；

第一半导体芯片，具有：主面，沿着所述主面的第一主面边形成的多个第一主面边焊盘，沿着面对所述主面的第一主面边的第二主面边形成的多个第二主面边焊盘，以及与所述主面相反的后面，装载在所述布线板的所述上面上，使得所述后面面对所述布线板的所述上面，并使得在平面图中第一和第二主面边分别对准第一和第二上面边，并使得第一接合引线和第二接合引线中的每个暴露，所述主面在平面图中的形状为四边形；

第二半导体芯片，具有：正面，沿着所述正面的第一正面边形成的多个第一正面边焊盘，以及与所述正面相反的背面，装载在第一半导体芯片的所述主面上，使得所述背面面对第一半导体芯片的所述主面，并使得在平面图中第一和第二正面边分别对准第一和第二主面边，并使得第一主面边焊盘和第二主面边焊盘中的每个暴露，所述正面在平面图中的形状为四边形；

多个第一导线，分别将第一主面边焊盘与第一接合引线的第一引线组电连接；

多个第二导线，分别将第二主面边焊盘与第二接合引线电连接；以及

多个第三导线，分别将第一正面边焊盘与第一接合引线的第二引线组电连接，

其中，第一半导体芯片包括仅沿着所述主面的第一主面边和第二主面边形成的焊盘，

其中，第二半导体芯片包括仅沿着所述正面的第一正面边形成的焊盘，

其中，第一半导体芯片被配置为执行高频率非接触通信的接口控制，接收第一、第二和第三调制模式的通信数据，执行对第一和第二调制模式的接收数据和发送数据的安全处理，

其中，第二半导体芯片被配置为执行对第三调制模式的接收数据和发送数据的安全处理，

其中，第一主面边焊盘包含多个第一焊盘和多个第二焊盘，每个第一焊盘用于向外部输出高频率发送电流信号，每个第二焊盘用于从外部输入高频率接收电流信号，

其中，所述多个第一焊盘布置于第一主面边的第一电路区域内，所述多个第二焊盘布置于第一主面边的第二电路区域内，

其中，在平面图中，第一电路区域的表面面积大于第二电路区域的表面面积，并且

其中，第一焊盘与第一主面边焊盘的其他焊盘相比布置得较接近第二主面边。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，第一焊盘和第二焊盘与用于电磁波通信的天线连接使用。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，要与第一焊盘连接的输出晶体管具有大于要与第二焊盘连接的输入晶体管的尺寸。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，第二半导体芯片通过在远离第一焊盘的方向，沿着第一半导体芯片的第一主面边被偏置而装载在第一半导体芯片的所述主面上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中，第二引线组通过在第二半导体芯片被偏置的方向偏置，沿着第一上面边布置，并且

其中，第一正面边焊盘通过在第二半导体芯片被偏置的方向偏置，沿着第一正面边布置。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，要由第一半导体芯片处理的高频率非接触通信的通信信号是第一至第三ASK调制模式的信号，其载波频率彼此相等，第二ASK调制模式的信号具有的调制深度低于第一ASK调制模式的信号的调制深度，具有的通信速度等于第一ASK调制模式的信号的通信速度，第三ASK调制模式的信号具有的调制深度低于第一ASK调制模式的信号的调制深度，且具有的通信速度高于第一ASK调制模式的信号的通信速度，

其中，第一半导体芯片执行高频率非接触通信的接口控制、和作为数据处理的对第一和第二ASK调制模式的接收数据和发送数据的安全处理这两者，并且

其中，第二半导体芯片执行作为另一个数据处理的、对第三ASK调制模式的接收数据和发送数据的安全处理。