[发明专利]一种具有渐变缓冲层太阳能电池

权利要求书

1.一太阳能电池，包括：

一底电池；

一渐变缓冲层，位于该底电池之上，包括多个渐变附属层，其中该多个渐变附属层不被掺杂碲；以及

一中间电池，位于该渐变缓冲层之上，

其中该多个渐变附属层包含一三族元素，该三族元素的含量自靠近该支持基板往远离该支持基板的方向递减。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中该多个渐变附属层包括n型杂质。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中该多个渐变附属层的材料为选自由InxGa(1-x)P、InxGa(1-x)As与(AlyGa(1-y))xIn(1-x)As所构成的群组，0<x<1，0<y<1。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括多个碲掺杂中间层位于该多个渐变附属层与该中间电池之间。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中该多个碲掺杂中间层包括n型杂质。

6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中该多个碲掺杂中间层的材料为选自由InxGa(1-x)P、InGaAs与AlInGaAs所构成的群组，0<x<1。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中该渐变缓冲层还包括：

一第一缓冲层，位于该底电池与该多个渐变附属层之间；以及

一第二缓冲层，位于该中间电池与该多个渐变附属层之间。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中该第一缓冲层的材料为选自由InGaAs、GaAs、AlGaAs、InGaP与AlGaInP所构成的群组；以及该第二缓冲层的材料包括GaAs。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中该三族元素是In。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，还包括一顶电池，位于该中间电池之上，其中该顶电池的材料为选自由InGaAs、GaAs、AlGaAs、InGaP与AlGaInP所构成的群组；该中间电池的材料为选自由GaAs、GaInP、InGaAs、GaAsSb与InGaAsN所构成的群组；以及该底电池的材料为选自由Ge、GaAs与InGaAs所构成的群组。