[发明专利]电可擦可编程只读存储器

权利要求书

1.一种电可擦可编程只读存储器，至少包括：

半导体衬底；

于该半导体衬底上设置深N阱；

于该深阱上设有多个P阱，每个P阱上具有间隔设置的源极区域和漏极区域及沟道区，该沟道区位于该源极区域与该漏极区域之间；

第一浮栅，设置于该沟道区上方靠近该源极区域，第二浮栅，设置于该沟道区上方靠近该漏极区域，该第一浮栅和该第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；

第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；

字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间；

各存储单元的浮栅、控制栅、字线、位线、漏极区域、源极区域、沟道区域均被P阱包围。

2.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该半导体衬底为P型衬底。

3.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行擦除操作时，对选中单元，该第一控制栅及该第二控制栅电压为负高压[-5～-9V]，该第一位线及该第二位线悬空，对该字线施加的电压范围是[0～1.5V]，对该P阱施加的电压范围是[5～9V]，对该深N阱施加的电压范围是[5～9V]。

4.如权利要求3所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行擦除操作时，该深N阱接5-9V高压。

5.如权利要求4所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行擦除操作时，对相同行未选中单元，该字线电压保持0～1.5V，该第一控制栅及该第二控制栅接负高压-5V～-8V；对不同行的未选中单元，该字线电压保持0～1.5V，控制其P阱电压为0V或8V，第一控制栅及第二控制栅电压为1.5V。

6.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行编程操作时，对选中单元，该第一控制栅及第二控制栅施加电压范围为5～8V，该第一位线施加电压范围为5～7V，及该第二位线施加电流范围为1～5uA，对该字线施加的电压范围是[1～2V]。

7.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行读出时，对该第一控制栅及该第二控制栅施加0V电压，对选中单元，该第二位线BL1施加电压范围为0～1.5V，该第一位线接0V电压，对该字线WL施加的电压范围是[3～5V]。

8.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行编程和读取操作时，对所有P阱施加的电压是0V，该深N阱施加的电压为电源电压。