[发明专利]金属内连线结构及其制造方法

权利要求书

1.一种金属内连线结构的制造方法，包括：

在一介电层中形成一接触窗开口，该接触窗开口的尺寸不大于1000埃，再于该接触窗开口中填入导电材料，以形成一导电插塞，该导电插塞中具有至少一孔隙；

在该介电层与该导电插塞上形成一导电层，该导电层的厚度不大于1000埃，该导电层中具有至少一细缝，該至少一細縫的一端的寬度小於該至少一細縫中遠離該端的一部分的寬度；

在该导电层上覆盖一顶盖层，该顶盖层封闭该至少一细缝的开口，且该顶盖层包括以原位沉积法形成的一金属氮化物层；以及

图案化该顶盖层与该导电层，以形成一图案化的顶盖层与一图案化的导电层，且该图案化的顶盖层的厚度介于1nm至5nm之间。

2.如权利要求1所述的金属内连线结构的制造方法，其中该顶盖层包括绝缘层与該金属氮化物层的组合。

3.如权利要求1所述的金属内连线结构的制造方法，其中该金属氮化物层包括氮化钨层、氮化钛层、氮化钽层或前述至少二者的组合。

4.如权利要求1所述的金属内连线结构的制造方法，其中该接触窗开口的尺寸介于100埃至1000埃之间。

5.如权利要求2所述的金属内连线结构的制造方法，其中该绝缘层包括氮化硅层、氧化硅层或氮氧化硅层。

6.一种金属内连线结构，包括：

一导电插塞，位于一介电层中，该导电插塞的宽度不大于1000埃；

一图案化的导电层，位于该导电插塞上，并与该导电插塞电性连接；以及

一图案化的顶盖层，覆盖于该图案化的导电层上，

其中该导电插塞中具有至少一孔隙，该图案化的导电层的厚度不大于1000埃，且该图案化的导电层中具有至少一细缝，該至少一細縫的一端的寬度小於該至少一細縫中遠離該端的一部分的寬度，该图案化的顶盖层封闭该至少一细缝的开口，该图案化的顶盖层包括以原位沉积法形成的一金属氮化物层，且该图案化的顶盖层的厚度介于1nm至5nm之间。

7.如权利要求6所述的金属内连线结构，其中该图案化的顶盖层包括绝缘层与該金属氮化物层的组合，该导电插塞的宽度介于100埃至1000埃之间。

8.如权利要求6所述的金属内连线结构，其中该金属氮化物层包括氮化钨层、氮化钛层、氮化钽层或前述至少二者的组合。

9.如权利要求7所述的金属内连线结构，其中该绝缘层包括氮化硅层、氧化硅层或氮氧化硅层。