[发明专利]一种磷酸替米考星晶体的制备方法

权利要求书

1.一种磷酸替米考星晶体的制备方法，其特征是：首先将磷酸替米考星粉末充分溶解于乙酸乙酯中，然后在搅拌状态、0～5℃温度条件下缓慢滴加异丙醚进行混合，滴加结束后保持搅拌状态30～60min，固液分离，淋洗，真空干燥即可。

2.按照权利要求1所述的磷酸替米考星晶体的制备方法，其特征是：上述磷酸替米考星粉末按照溶解比1：3～5的比例溶解于乙酸乙酯中，其溶解比单位kg/L。

3.按照权利要求1所述的磷酸替米考星晶体的制备方法，其特征是：上述搅拌转速控制在10～15r/min。

4.按照权利要求1所述的磷酸替米考星晶体的制备方法，其特征是：上述异丙醚的加入量为乙酸乙酯体积的1～2倍，滴加速度为总量的10%/min。

5.按照权利要求1所述的磷酸替米考星晶体的制备方法，其特征是：上述固液分离采用离心分离。

6.按照权利要求1所述的磷酸替米考星晶体的制备方法，其特征是：上述淋洗是指采用0～5℃的异丙醚淋洗结晶颗粒2次，每次淋洗所用异丙醚的量为乙酸乙酯体积的0.5～1倍。

7.按照权利要求1所述的磷酸替米考星晶体的制备方法，其特征是：上述真空干燥采用双锥回转真空干燥机，其干燥温度控制在50～60℃，真空度控制在-0.08～-0.02MPa，干燥失重低于1%后停止真空干燥。

8.按照权利要求1或5所述的磷酸替米考星晶体的制备方法，其特征是：上述固液分离后所得的混合溶媒在60～65℃，-0.08～-0.1MPa的条件下减压蒸馏，回收得到异丙醚与乙酸乙酯。