[发明专利]一种非达霉素晶体的制备方法有效
| 申请号: | 201310264433.3 | 申请日: | 2013-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN103275153A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
| 发明(设计)人: | 任风芝;张雪霞;段宝玲;王海燕;陈书红;李晓露;胡卫国 | 申请(专利权)人: | 华北制药集团新药研究开发有限责任公司 |
| 主分类号: | C07H17/08 | 分类号: | C07H17/08;C07H1/06 |
| 代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 白海静 |
| 地址: | 050015 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 霉素 晶体 制备 方法 | ||
1.一种非达霉素晶体的方法,其特征在于该方法包括下述步骤:
a、溶解:常温下,将非达霉素加入混合溶剂中,升温至40-50℃进行搅拌溶解,得到溶解液;
b、析晶、抽滤:将上述溶解液冷却,在0-20℃条件下放置2-48小时析晶,然后抽滤,得到滤饼;
c、烘干:将上述滤饼在40-50℃的条件下,真空干燥1-4小时后得到非达霉素晶型A。
2.根据权利要求1所述非达霉素晶体的制备方法,其中步骤a中的混合溶剂为体积百分含量为60~90%的乙醇的水溶液。
3.根据权利要求1或2所述非达霉素晶体的制备方法,其中步骤a中非达霉素和混合溶液的质量体积比为1:5-30,该比例中非达霉素以克计、混合溶液以毫升计。
4.根据权利要求1或2 所述非达霉素晶体的制备方法,其中步骤b中所述的析晶温度为10-20℃,析晶时间为8-24小时。
5.根据权利要求1或2所述的非达霉素晶体制备方法,其中步骤c中所述的干燥温度为45℃,干燥时间为2-3小时。
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