[发明专利]发光二极管元件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201310262045.1 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN104253188A 公开(公告)日: 2014-12-31
发明(设计)人: 张超雄;陈滨全;陈隆欣;曾文良 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58;H01L25/13
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 叶小勤
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管元件的制造方法,包括步骤:

提供一基板,在基板上表面凸伸形成凸出部;

设置发光二极管芯片在所述凸出部上;

提供模具覆盖所述基板,所述模具的底面与凸出部上表面边缘区域、凸出部侧面、及基板上表面之间形成浇道,所述模具的底面与凸出部的上表面中部区域之间形成与浇道连通的腔体;

沿浇道向所述腔体内注塑透明流体材料并固化该透明流体材料以形成透镜结构,残留浇道内的流体材料固化形成透镜结构的密封部,所述密封部覆盖该凸出部上表面边缘区域并自该凸出部上表面边缘弯折延伸至基板上表面;以及

移除模具,形成所述发光二极管元件。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法,其特征在于:所述透镜结构包括光学部,所述光学部贴设于凸出部上表面中部区域并覆盖所述发光二极管芯片,所述密封部自光学部靠近基板的底端沿水平方向向外凸伸形成。

3.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法,其特征在于:所述光学部靠近基板侧的底面面积小于凸出部的表面面积。

4.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法,其特征在于:所述模具包括形成于底面的第一凹部和第二凹部,第一凹部与对应的凸出部上表面边缘区域、凸出部的侧面以及基板的上表面相对间隔设置并形成所述浇道,所述第二凹部与对应凸出部上表面中部区域间隔设置形成所述腔体。

5.如权利要求4所述的发光二极管元件的制造方法,其特征在于:所述第一凹部自模具底面沿远离基板的方向凹陷形成,所述第一凹部的内径大于凸出部的外径。

6.如权利要求4所述的发光二极管元件的制造方法,其特征在于:所述第二凹部自第一凹部的底面沿远离基板的方向进一步凹陷形成,所述第二凹部的内表面为凹曲面,所述第二凹部的最大外径小于所述凸出部的外径。

7.如权利要求4所述的发光二极管元件的制造方法,其特征在于:所述光学部包括一入光面及与该入光面相对的出光面,所述出光面的形状与第二凹部表面的形状相同。

8.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法,其特征在于:所述凸出部通过蚀刻基板形成。

9.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法,其特征在于:所述透镜结构中包含有荧光粉。

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