[发明专利]晶体管驱动电路

说明书

技术领域

本发明的各种实施方式涉及晶体管驱动电路。

背景技术

功率半导体开关新发展的目的之一，是获得具有尽可能高阻断电压但仍可提供低导通状态电阻的组件。出于这个目的，已经开发了EGFET（扩展栅FET），其中除了栅极，所谓漂移控制区也提供在源极和漏极之间的晶体管中，以提供降低的导通状态电阻。然而，需要高控制电流用于驱动漂移控制区，以实现低导通状态电阻，即用于当EGFET呈现为导通状态时，引入电荷到漂移控制区中，并当EGFET呈现为非导通状态时，消耗漂移控制区的电荷。

发明内容

在各种实施方式中，提供了一种晶体管驱动电路。该驱动电路可包括晶体管，该晶体管包括控制端子；电容；第一开关和电源，其中第一开关可藕接在电源和电容的第一端子之间；第二开关和电感，其可串联耦接在电容的第一端子和晶体管的控制端子之间。

在各种实施方式中，还提供了一种晶体管控制电路，其包括：负载晶体管，其包括控制端子，负载晶体管包括栅极区和/或至少一个漂移控制区；电容器；第一控制晶体管；电源，其中第一控制晶体管耦接在电源和电容器的第一端子之间；第二控制晶体管；电感器，其中第二控制晶体管和电感器串联耦接在电容器的第一端子和负载晶体管的控制端子之间。

附图说明

附图中，遍及不同示图的相似参考符号一般指相同部件。附图没必要按比例绘制，而重点一般放在示出本发明的原理上。在下面的说明中，参考以下附图描述本发明的各种实施方式，其中：

图1示出了根据各种实施方式的晶体管驱动电路的实现；

图2示出了根据各种实施方式的晶体管驱动电路的另一实现；

图3示出了根据各种实施方式的晶体管驱动电路的又一实现；

图4示出了根据各种实施方式的晶体管驱动电路的又一实现；

图5A和图5B示出了开关期间根据各种实施方式的晶体管驱动电路中晶体管的示例性栅极电压和示例性漏极电压。

图6示出了根据各种实施方式的晶体管驱动电路中的晶体管的示例性开关方法。

具体实施方式

下面的详细说明参考通过图示示出具体细节和实施方式的附图，其中本发明可得以实施。

这里使用的用语“示例性”意为“作为例子、示例或说明”。这里描述为“示例性”的任何实施方式或设计不一定解释为比其他实施方式或设计更优选或有利。

为解决驱动EGFET中漂移控制区所需的高控制功率（例如高控制电流）问题的一种方法导致了TEDFET（沟槽扩展漏极FET）的开发。TEDFET器件具有类似于EGFET器件的结构，因为其也包括邻近漂移区而横向设置的漂移控制区，该漂移区可从基板一个表面上设置的源极区延伸向设置在基板相反表面上的漏极区。一个或多个漂移控制区通过电介质层与漂移区分隔，该电介质层也指累积电介质或累积氧化物（AOX）。当TEDFET驱动到导通状态时，漂移控制区可用于控制累积通道，该累积通道形成在漂移区一侧的累积电介质旁边。累积通道可看作这样的区域，其特征为局部增加的电荷载流子密度。累积通道形成的前提是漂移控制区和漂移区之间的电位差。由带电漂移控制区感应的漂移区中累积通道的存在可导致功率半导体组件的降低的导通状态电阻。