[发明专利]晶体管驱动电路

权利要求书

1.一种晶体管驱动电路，包括：

晶体管，所述晶体管包括控制端子；

第一电容；

第一开关和电源，其中所述第一开关耦接在所述电源和所述第一电容的第一端子之间；

第二开关和电感，所述第二开关和所述电感串联耦接在所述第一电容的第一端子和所述晶体管的控制端子之间，

其中，所述晶体管包括内部电容，所述内部电容由所述晶体管的栅极和至少一个漂移控制区形成，

所述晶体管驱动电路还包括：辅助电容，并联耦接到所述晶体管的所述内部电容并用于减缓所述晶体管的开关特性；

第三开关，耦接在参考电位与所述电感和所述晶体管的控制端子之间的电路径之间，以当所述晶体管处于非导通状态时，使所述内部电容放电，并因此在所述晶体管进行下一次开关之前使所述内部电容产生定义明确的电位。

2.根据权利要求1所述的晶体管驱动电路，

其中，所述晶体管的控制端子耦接到所述晶体管的栅极。

3.根据权利要求1所述的晶体管驱动电路，

其中，所述晶体管的控制端子耦接到所述晶体管的至少一个漂移控制区。

4.根据权利要求2所述的晶体管驱动电路，

其中，所述晶体管的栅极和至少一个漂移控制区并联耦接到所述晶体管的控制端子。

5.根据权利要求1所述的晶体管驱动电路，

其中，所述电感和所述第一电容定义振荡时间周期。

6.根据权利要求1所述的晶体管驱动电路，

其中，所述第一开关包括第一晶体管。

7.根据权利要求6所述的晶体管驱动电路，

其中，所述第一晶体管被配置为能够阻断一个极性的电压。

8.根据权利要求1所述的晶体管驱动电路，

其中，所述第二开关包括至少一个第二晶体管。

9.根据权利要求8所述的晶体管驱动电路，

其中，所述第二开关被配置为能够阻断两个极性的电压。

10.根据权利要求8所述的晶体管驱动电路，

其中，所述第二开关被配置为JFET。

11.根据权利要求8所述的晶体管驱动电路，

其中，所述第二开关包括串联耦接的两个MOSFET，其中所述两个MOSFET的漏极或源极互相耦接。

12.根据权利要求1所述的晶体管驱动电路，

其中，所述第一开关包括第一晶体管，并且所述第二开关包括至少一个第二晶体管；以及

其中，所述第一晶体管和所述至少一个第二晶体管的阻断电压等于或大于所述电源供应的电压。

13.根据权利要求1所述的晶体管驱动电路，

其中，所述第一开关包括第一晶体管，并且所述第二开关包括至少一个第二晶体管；以及

其中，所述晶体管、所述第一晶体管和所述至少一个第二晶体管单片集成到一个基板中。

14.根据权利要求1所述的晶体管驱动电路，进一步包括：

控制器，被配置为控制所述第一开关和所述第二开关的操作。

15.根据权利要求14所述的晶体管驱动电路，

其中，所述控制器被配置为，当所述晶体管将被导通且所述第一电容未完全充电到预设值时，闭合所述第一开关和所述第二开关。

16.根据权利要求14所述的晶体管驱动电路，

其中，所述控制器被配置为，当所述晶体管要被导通且所述第一电容完全充电到预设值时，闭合所述第二开关。

17.根据权利要求14所述的晶体管驱动电路，

其中，所述控制器被配置为在所述第二开关保持断开的间隔期间闭合所述第一开关。

18.根据权利要求14所述的晶体管驱动电路，

其中，所述控制器被配置为，当所述晶体管要被导通时，闭合所述第二开关与振荡时间周期的一半相对应的一段时间，所述振荡时间周期由所述电感和所述第一电容定义。