[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201310256200.9 | 申请日: | 2013-06-25 |
公开(公告)号: | CN103872072B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 金泰俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 余朦,刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法,具体涉及采用了包括凹凸形状的导电反射层的焊盘电极的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示装置是如下所述的自发光型显示装置:其包括具有空穴注入电极、电子注入电极、以及形成在两者之间的有机发光层的有机发光器件,并且通过从空穴注入电极注入的空穴与从电子注入电极注入的电子在有机发光层结合所生成的激子(exiton)从激发态(exited state)跃迁至基态(ground state),从而产生光。
由于作为自发光型显示装置的有机发光显示装置不需要额外的光源,因此可以通过低电压驱动、并且可以实现轻量化和薄型化,并且由于具有视角宽、对比度(contrast)高以及响应速度快等高品质特性,因此其作为下一代显示装置而受人瞩目。
发明内容
本发明涉及采用了包括凹凸形状的导电反射层的焊盘电极的有机发光显示装置及其制造方法,其目的在于提供当粘接显示面板模块与上部板时可以提高UV使用效率、并且减小排线电阻的焊盘电极。
根据一实施方式的有机发光显示装置包括:
基板;显示部,形成在所述基板上以用于呈现图像,并且具有薄膜晶体管和有机发光器件;以及焊盘电极,位于所述基板上,并且形成在所述显示部的外围;所述焊盘电极具有凹凸形状的导电反射层。
所述焊盘电极还包括设置在所述导电反射层的下部的导电层,所述导电层与所述薄膜晶体管或者有机发光器件电连接、从而可以用于传输外部信号。
在所述导电层与所述导电反射层之间的一部分区域设置有绝缘膜,在剩余区域所述导电层可以与所述导电反射层电连接。
所述绝缘膜为多个,并且至少一个绝缘膜的高度可以与其他绝缘膜的高度不同。
所述导电反射层可以包括不同高度的多个凹凸形状。
所述导电反射层与所述薄膜晶体管或者所述有机发光器件电连接,从而可以用于传输外部信号。
所述显示部包括有机发光器件,其中,所述有机发光器件包括阳电极层、设置在所述阳电极层上的有机发光层以及设置在所述有机发光层上的阴电极层,所述导电反射层可以设置在与所述阳电极层相同的层上。
可以由与所述阳电极层相同的物质形成所述导电反射层。
所述显示部包括薄膜晶体管,其中,所述薄膜晶体管包括:活性层、与所述活性层绝缘的栅电极、覆盖所述栅电极的层间绝缘膜以及形成在所述层间绝缘膜上并且与所述活性层接触的源电极和漏电极,所述导电层可以设置在与所述源电极和漏电极相同的层上。
所述导电层可以由与所述源电极和漏电极相同的物质形成。
所述焊盘电极还可以包括设置在所述导电反射层的上部的保护膜。
此外,根据一实施方式的有机发光显示装置包括显示部和设置在所述显示部的外围的焊盘部,设置在所述焊盘部的焊盘电极包括:导电层,与所述显示部电连接;多个绝缘膜,形成在所述导电层上;以及导电反射层,覆盖所述导电层和所述绝缘膜,并且具有凹凸形状。
所述导电层与所述导电反射层可以电连接。
所述焊盘电极可以与数据线、扫描线和电源供应线之一对应地连接。
根据本发明一实施方式的有机发光显示装置的制造方法包括:
在基板上依次形成薄膜晶体管的活性层、栅绝缘膜、栅电极、层间绝缘膜;
在所述层间绝缘膜上部的第一区域形成与所述活性层接触的源电极和漏电极,在所述层间绝缘膜上部的第二区域形成导电层;
形成用于覆盖所述源电极和漏电极的平坦化膜,并且形成用于覆盖所述导电层的绝缘膜层;
对所述绝缘膜层进行图案化,从而形成至少一个绝缘膜;以及
在所述平坦化膜上部形成与所述漏电极接触的有机发光器件的阳电极,并且形成用于覆盖所述导电层和所述绝缘膜的导电反射层。
所述导电反射层可以具有凹凸形状。
所述导电层和所述导电反射层可以与所述薄膜晶体管或者所述有机发光器件电连接。
所述对所述绝缘膜层进行图案化的步骤可以包括半色调(half-tone)曝光工序。
可以与所述导电层一同形成所述源电极和漏电极。
可以与所述导电反射层一同形成所述阳电极。
可以由ITO/Ag/ITO形成所述导电反射层。
根据本申请的有机发光显示装置的制造方法还可以包括:在所述平坦化膜和阳电极上部形成像素限定膜,并且形成所述导电反射层上的保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的