[发明专利]降低二维晶体材料接触电阻的方法

权利要求书

1.一种降低二维晶体材料接触电阻的方法，包括：

提供衬底，所述衬底上具有二维晶体材料层；

在所述二维晶体材料层上形成图案化的掩膜层；

在掩膜层及二维晶体材料层上形成接触材料层，接触材料为金属材料；

在形成接触材料层之后进行离子注入，轰击二维晶体材料以至少形成空位，其中，接触材料层的种类、厚度以及注入的离子类型和能量可调，以调节轰击效果；

去除掩膜层及其上的接触材料层；

进行热退火使空位与接触材料成键，进而降低接触电阻。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为光刻胶；采用剥离工艺去除掩膜层上的接触材料层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为硬掩膜；采用湿法刻蚀腐蚀掩膜层，继而去除其上的接触材料层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述二维晶体材料层上形成图案化的掩膜层之后，在掩膜层及二维晶体材料层上形成接触材料层之前，还包括步骤：进行热退火。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述二维晶体材料层为石墨烯、过渡金属的二硫化物以及锗烯。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，热退火的温度为350℃-500℃，热退火的时间为1-30分钟。