[发明专利]半导电釉的施釉工艺及其所使用的半导电釉料

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导电釉的施釉工艺及其所使用的半导电釉料。

背景技术

目前，绝缘子半导电釉是一种半导体晶体相高度分散，并形成了半导体晶相构筑载流于运动通道的釉玻璃，它是半导体晶粒和绝缘的基质玻璃组成的一种特殊的微晶玻璃，它的半导电性能至关重要，表现为半导体晶相的高度分散性，晶性在釉中应当占到一定的体积分数，有效地建立起载流顺利通过的通道。现有技术的半导电釉实际上是介于导电和绝缘之间，有的导电电阻偏高，釉表面粗糙无光。随着国内外电力，电站及电瓷的快速发展，同时对电瓷绝缘子的各项性能要求的提高，其传统式的半导体釉已远远达不到客户的要求。变压器瓷套在金属法兰盘附近的电场分布极不均匀，电场有较强的垂直分量，容易产生沿面放电，而沿面放电中的滑闪放电有热电离作用，对绝缘子损害极大。影响半导电釉表面电阻的因素很多，釉的配方中元素的组成，烧成中熔融温度和止火温度，窑内的气氛，压力，釉层厚度等等。釉的表面电阻随烧成温度上升而急剧下降，釉层厚度增加，表面电阻下降。半导体的导电性能主要取决于釉中半导体晶相的导电特性，半导体晶相较高时，釉表面的光泽与釉的化学稳定性变差，釉表面灰暗无光泽，有粗糙感，由于晶相较多，通常热膨胀系数也较高，难以配制压缩釉，不能很好的与瓷体匹配，是半导电釉材料研制的关键。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种半导电釉的施釉工艺，该种工艺制备出的半导电釉不仅能克服原来的在法兰盘附近的电场分布极不均匀，瓷套表面绝缘电阻值偏大，局部电放指数高的问题，而且能提高机械强度和防污闪能力，延长使用寿命．同时又改善了耐腐蚀能力和耐电弧性能。

为了解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种半导电釉的施釉工艺，该工艺的步骤如下：a）按以下组份和各组份质量份备料：长石粉：20份~30份；石英粉：20份~30份；方解石：2份~6份；宽城土：8份~15份；TiO₂：3份-6份 ；Fe₂O₃ ：15份~20份；Cr₂O₃ ：1.5份~4.5份；b）按料︰球︰水＝1~1.5︰1.5~2︰0.5~1，湿法球磨25~30小时；c）球磨后的釉料过320目筛，筛余控制在0.02~0.05范围内，再调成50~70波美度的半导电釉浆备用；d）先将半导电釉坯件的法兰盘胶装处至最近一伞下沿间用胶带予以覆盖，然后采用淋釉机在坯件上淋一层普通釉料，并且控制普通釉料厚度在0.20mm~0.30mm范围内；e）然后将胶带取下，对胶带覆盖处喷上一层步骤c）中制备的半导电釉浆；f）在法兰盘胶装处喷砂；g）在喷砂处再覆盖一层半导电釉浆，并且控制半导电釉浆的总厚度在0.22mm~0.35mm范围内；h）采用中性焰或弱还原性焰在1100℃~1280℃的气氛下烧制成品。

进一步，在所述的步骤g）中，烧制半导电釉的窑压采用正压12Pa~22Pa，下层观察孔热气流射程在180mm～260mm。

本发明还提供了一种半导电釉料，它的组份及各组份质量份如下：长石粉：20份~30份；石英粉：20份~30份；方解石：2份~6份；宽城土：8份~15份；TiO₂：3份-6份 ；Fe₂O₃ ：15份~20份；Cr₂O₃ ：1.5份~4.5份。

进一步，它的组份及各组份质量份如下：长石粉：28份；石英粉：27份；方解石：3份；宽城土：12份；TiO2：3份-6份 ；Fe2O3 ：15份~20份；Cr2O3 ：1.5份~4.5份。

采用了上述技术方案后，本发明具有以下的有益效果：

1、在运行中的半导电釉的表面温度比普通绝缘子釉面温度高2－6℃，可有效地阻止浓雾或相对湿度较大气候条件下的污层的吸潮，防止高导电的薄层液膜的形成，达到防污闪的目的，它的污闪电压可提高好几倍。

2、制备的半导电釉的表面有适度的泄漏电流通过，改善了绝缘子表面电压分布不均匀性，电压在整个绝缘子串的分布也将接近平均分布水平，为此，在此处施加的半导电釉具有减少电阻，均衡电场的作用，制备的半导电釉的表面电阻要小于十万欧姆。

3、本发明制备的半导电釉能够改善电场分布的作用，大大地缓和了绝缘子的局部电场集中，消除了电场集中造成的局部放电。