[发明专利]半导电釉的施釉工艺及其所使用的半导电釉料

权利要求书

1.一种半导电釉的施釉工艺，其特征在于该工艺的步骤如下：

a）按以下组份和各组份质量份备料：

长石粉：20份~30份；石英粉：20份~30份；

方解石：2份~6份；宽城土：8份~15份；

TiO₂：3份-6份 ；Fe₂O₃ ：15份~20份；Cr₂O₃ ：1.5份~4.5份；

b）按料︰球︰水＝1~1.5︰1.5~2︰0.5~1，湿法球磨25~30小时；

c）球磨后的釉料过320目筛，筛余控制在0.02~0.05范围内，再调成50~70波美度的半导电釉浆备用；

d）先将半导电釉坯件的法兰盘胶装处至最近一伞下沿间用胶带予以覆盖，然后采用淋釉机在坯件上淋一层普通釉料，并且控制普通釉料厚度在0.20mm~0.30mm范围内；

e）然后将胶带取下，对胶带覆盖处喷上一层步骤c）中制备的半导电釉浆；

f）在法兰盘胶装处喷砂；

g）在喷砂处再覆盖一层半导电釉浆，并且控制半导电釉浆的总厚度在0.22mm~0.35mm范围内；

h）采用中性焰或弱还原性焰在1100℃~1280℃的气氛下烧制成品。

2.根据权利要求1所述的半导电釉的施釉工艺，其特征在于：在所述的步骤g）中，烧制半导电釉的窑压采用正压12Pa~22Pa，下层观察孔热气流射程在180mm～260mm。

3.如权利要求1或2所述的半导电釉的施釉工艺中所使用的半导电釉料，其特征在于：它的组份及各组份质量份如下：

长石粉：20份~30份；石英粉：20份~30份；

方解石：2份~6份；宽城土：8份~15份；

TiO₂：3份-6份 ；Fe₂O₃ ：15份~20份；Cr₂O₃ ：1.5份~4.5份。

4.根据权利要求3所述的半导电釉料，其特征在于：它的组份及各组份质量份如下：

长石粉：28份；石英粉：27份；

方解石：3份；宽城土：12份；

TiO2：3份-6份 ；Fe2O3 ：15份~20份；Cr2O3 ：1.5份~4.5份。