[发明专利]CMP用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法

权利要求书

1.一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，

式中，X¹¹、X¹²和X¹³各自独立地为氢原子或1价的取代基，

其中，所述研磨粒包含具有晶界的多晶氧化铈。

2.如权利要求1所述的研磨液，其中，所述4－吡喃酮系化合物为选自由3－羟基－2－甲基－4－吡喃酮、5－羟基－2－（羟甲基）－4－吡喃酮、2－乙基－3－羟基－4－吡喃酮组成的组中的至少一种化合物。

3.如权利要求1或2所述的研磨液，其中，pH值不到8。

4.如权利要求1或2所述的研磨液，其中，进一步含有pH调节剂。

5.如权利要求1或2所述的研磨液，其中，相对于100质量份该研磨液，所述第1添加剂的含量为0.01～5质量份。

6.如权利要求1或2所述的研磨液，其中，相对于100质量份该研磨液，所述研磨粒的含量为0.01～10质量份。

7.如权利要求1或2所述的研磨液，其中，所述研磨粒的平均粒径为50～500nm。

8.如权利要求1或2所述的研磨液，其中，进一步含有非离子性表面活性剂。

9.如权利要求1或2所述的研磨液，其中，进一步含有饱和单羧酸作为第2添加剂，

所述饱和单羧酸的碳原子数为2～6。

10.如权利要求1或2所述的研磨液，其中，进一步含有饱和单羧酸作为第2添加剂，

所述饱和单羧酸为选自由乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸、戊酸、异戊酸、三甲基乙酸、氢化当归酸、己酸、2－甲基戊酸、4－甲基戊酸、2,3－二甲基丁酸、2－乙基丁酸、2,2－二甲基丁酸和3,3－二甲基丁酸组成的组中的至少一种化合物。

11.如权利要求1或2所述的研磨液，其中，进一步含有饱和单羧酸作为第2添加剂，

相对于100质量份该研磨液，所述饱和单羧酸的含量为0.01～5质量份。

12.一种研磨方法，其用于研磨在表面上具有氧化硅膜的基板，

该方法具有如下工序：一边向所述氧化硅膜和研磨垫之间供给权利要求1～11中任一项所述的研磨液，一边通过所述研磨垫对所述氧化硅膜进行研磨。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述基板为从上方观察时具有凹部或凸部被设置为T字形状或格子形状的部分的基板。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述基板为具有存储单元的半导体基板。

15.一种研磨液的应用，用于对表面具有氧化硅膜的基板的所述氧化硅膜进行CMP研磨，

所述研磨液含有研磨粒、第1添加剂和水，

所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，

式中，X¹¹、X¹²和X¹³各自独立地为氢原子或1价的取代基，

其中，所述研磨粒包含具有晶界的多晶氧化铈。

16.根据权利要求15所述的应用，其中，所述4－吡喃酮系化合物为选自由3－羟基－2－甲基－4－吡喃酮、5－羟基－2－（羟甲基）－4－吡喃酮、2－乙基－3－羟基－4－吡喃酮组成的组中的至少一种化合物。

17.根据权利要求15或16所述的应用，其中，所述研磨液的pH值不到8。

18.根据权利要求15或16所述的应用，其中，所述研磨液进一步含有pH调节剂。

19.根据权利要求15或16所述的应用，其中，相对于100质量份所述研磨液，所述第1添加剂的含量为0.01～5质量份。

20.根据权利要求15或16所述的应用，其中，相对于100质量份所述研磨液，所述研磨粒的含量为0.01～10质量份。

21.根据权利要求15或16所述的应用，其中，所述研磨粒的平均粒径为50～500nm。