[发明专利]高可靠性SMD LED封装结构有效

专利信息
申请号: 201310238506.1 申请日: 2013-06-17
公开(公告)号: CN103354269A 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 高鞠 申请(专利权)人: 苏州晶品光电科技有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 215211 江苏省苏州市吴江区汾*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 可靠性 smd led 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种高可靠性SMD LED封装结构,包括金属基体,其特征在于在所述金属基体上形成有耐压陶瓷层,并且在所述耐压陶瓷层上形成有金属电路层和高导热陶瓷层;而在所述金属电路层和高导热陶瓷层上设置有SMD LED 灯珠。

2.根据权利要求1所述的高可靠性SMD LED封装结构,其特征在于所述高导热陶瓷层的厚度为10-500 um;并且所述高导热陶瓷层为AlN、 AlON或SiN。

3.根据权利要求1或2所述的高可靠性SMD LED封装结构,其特征在于所述耐压陶瓷层的厚度为10-500 um;并且所述耐压陶瓷层为Al2O3、AlON或SiC。

4.根据权利要求2所述的高可靠性SMD LED封装结构,其特征在于所述高导热陶瓷层通过粉末烧结法形成,并利用钎焊接合到所述耐压陶瓷层上。

5.根据权利要求4所述的高可靠性SMD LED封装结构,其特征在于所述钎焊使用的钎料含有0.5-0.8wt%的Ag、0.8-1.0 wt%的In、2.1-2.5 wt%的Ti、1.2-1.5 wt%的Si、5.2-7.2 wt%的Sn、2.7-3.2 wt%的Al、0.65-0.95wt%的Mn、1.8-2.1wt%的Ni、0.5-0.7wt%的Ce、0.1-0.2wt%的B和余量的Cu。

6.根据权利要求3所述的高可靠性SMD LED封装结构,其特征在于所述耐压陶瓷层通过溅射、蒸镀、电弧沉积、化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积法制备得到。

7.根据权利要求1或2所述的高可靠性SMD LED封装结构,其特征在于所述耐压陶瓷层与所述金属基体之间还具有过渡层。

8.根据权利要求1或2所述的高可靠性SMD LED封装结构,其特征在于所述金属电路层通过溅射、蒸镀、电弧沉积、化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积金属层,并通过干蚀刻得到所述金属电路层。

9.根据权利要求1或2所述的多陶瓷层印刷线路板,其特征在于所述金属电路层通过直接印刷金属浆料并烧结的方式制成。

10.根据权利要求1所述的多陶瓷层印刷线路板,其特征在于金属电路层和高导热陶瓷层形成金属和高导热陶瓷杂化层。

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