[发明专利]大面积有机发光二极管显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造具有像素区域矩阵的有机发光二极管显示器的方法，所述像素区域矩阵至少包括第一像素区域和第二像素区域，所述方法包括：

横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积光刻胶；

通过剥离位于所述第一像素区域中的第一部分光刻胶而保留位于所述第二像素区域中的第二部分光刻胶，将所述光刻胶构图为图案化的光刻胶；

横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积有机发光层，所述有机发光层沉积在位于所述第二像素区域中的图案化的光刻胶上方；

在所述有机发光层上方横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积电子传输层；以及

通过剥离所述第二部分光刻胶去除位于所述第二像素区域中的部分有机发光层和电子传输层，同时保留位于所述第一像素区域中的部分有机发光层和电子传输层。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述有机发光层上方横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积阴极层，

其中通过剥离所述第二部分光刻胶去除位于所述第二像素区域中的部分阴极层，同时保留位于所述第一像素区域中的部分阴极层。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在去除部分有机发光层和电子传输层之后，横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积公共电子传输层。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一像素区域和第二像素区域中形成阳极电极，

其中所述光刻胶沉积在所述阳极电极上方。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积公共空穴注入层；

在所述公共空穴注入层上方横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积公共空穴传输层，

其中所述光刻胶沉积在所述公共空穴传输层上方。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在去除部分有机发光层和电子传输层之后，横跨所述第一像素区域和第二像素区域沉积公共阴极层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一像素区域对应于第一颜色光，所述第二像素区域对应于与所述第一颜色光不同的一个或多个第二颜色光。

8.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述有机发光层包括沉积红色有机发光层、绿色有机发光层或蓝色有机发光层中的一种。

9.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述光刻胶包括沉积经过光二聚的氟化光刻胶。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化的光刻胶沿所述第一像素区域的边缘具有倒锥形。

11.一种有机发光二极管显示器，包括：

至少包括第一像素区域和第二像素区域的像素区域矩阵；

形成在所述第一像素区域内的第一阳极；

形成在所述第二像素区域内的第二阳极，其中所述第二阳极与所述第一阳极分离；

横跨所述第一像素区域和第二像素区域形成在所述第一阳极和第二阳极上方的公共空穴注入层；

在所述公共空穴注入层上方形成在所述第一像素区域内的第一有机发光层；和

在所述公共空穴注入层上方形成在所述第二像素区域内的第二有机发光层，其中所述第二有机发光层与所述第一有机发光层分离。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：

横跨所述第一像素区域和第二像素区域形成在所述公共空穴注入层上方的公共空穴传输层，

其中所述第一有机发光层和第二有机发光层形成在所述公共空穴传输层上方。

13.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：

形成在所述第一像素区域内的所述第一有机发光层上方的第一电子传输层；和

形成在所述第二像素区域内的所述第二有机发光层上方的第二电子传输层，所述第二电子传输层与所述第一电子传输层分离。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：

横跨所述第一像素区域和第二像素区域形成在所述第一电子传输层和第二电子传输层上方的公共电子传输层。