[发明专利]用于对晶圆进行湿处理的设备和方法及其中所用的筒体

说明书

本申请是申请日为2009年11月3日、申请号为200980149201.5（国际申请号为PCT/KR2009/006402）且发明名称为“用于对物体进行湿处理的设备和方法及其中所用的流体扩散板和筒体”的原案申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及用于物体（诸如晶圆）的湿处理（例如，清洁或者蚀刻）的设备和方法。 

背景技术

一般，包括切片工艺、研磨工艺、精研工艺、蚀刻工艺和抛光工艺的一些列工艺被执行，以生产用于制造半导体器件的晶圆。在以上工艺期间，晶圆的表面被各种污染物污染。代表性污染物为微粒、金属污染物、有机污染物等。这些污染物损害了晶圆的质量。另外，污染物成为造成半导体器件的物理缺陷和特性恶化的因素，这导致半导体器件产品收益率的恶化。为清除这些污染物，普遍采用采用利用酸性或碱性蚀刻流体或者去离子水的湿法清洁工艺。另外，在晶圆或半导体器件的生产过程中，包括各种蚀刻工艺。例如，晶圆被放入蚀刻槽中并利用蚀刻溶液进行湿法蚀刻。 

随着现在设计规则正在变得越来越严格，对于晶圆的整个表面要求更高的清洁度和平面度。另外，在一片晶圆中需要均匀的清洁度和平面度。而且，在将多个晶圆放入清洁或蚀刻槽中然后在槽中进行批量处理的情况下，在晶圆之间同样需要均匀的清洁度和平面度。就此而言，韩国未决专 利公开号2005-0002532和日本未决专利公开号2006-032640公开了一种通过将晶圆支撑在条形支撑体上并且旋转支撑体来旋转晶圆的同时清洁或蚀刻晶圆的方法。韩国未决专利公开号2005-0059895公开了一种通过安装单独的超去离子水喷射管来清洁晶圆的方法。另外，韩国未决专利公开号2003-0054732公开了一种通过在一托架下面布置具有排气孔的管道来供应气体的同时蚀刻晶圆的蚀刻装置，多个晶圆被支撑在托架上以直立于其上。韩国未决专利公开号2003-0056702公开了一种包括气体供应管道和多个扩散板的蚀刻装置，所述扩散板具有多个孔并且以扩散板之间具有间隙的方式布置在上、下位置，使得从处理槽的内部底面供应的蚀刻溶液扩散至处理槽中的全部区域。 

然而，根据传统技术，处理槽中可能产生盲区，在盲区，清洁或蚀刻流体不能容易地流动或者停止。在盲区中，可能存在清洁或蚀刻过程中产生的杂质或副产品。这些杂质或副产品可能成为污染源，其再次被晶圆吸收而污染晶圆。特别地，在快速蚀刻过程中，杂质或副产品可能成为产生很多不规则晶圆的主要因素。现在随着设计规则变得更严格，此问题已经变得更严重。 

特别地，在超去离子水喷射管围绕晶圆安装的情况下，超去离子水仅在一个方向上喷射，并且因此，与喷射方向相反的方向上可能存在盲区。为防止发生此问题，应当将几个喷射管安装在清洁槽内，而这又导致了装置变得巨大且复杂的问题并且还成为另一污染源。 

而且，在气体供应管道或管路安装在托架下面的情况下，气体不能充分地供应至远距离处的区域。这可以损害清洁或蚀刻的均匀性，特别是在处理大尺寸晶圆的情况下。另外，在安装多个扩散板的情况下，装置的体积增大，并且蚀刻流体可能被气流干扰，这会扰乱蚀刻流体和气体的平稳且均匀的流动。 

发明内容

技术问题 

设计本发明以解决现有技术的问题，并且因此本发明的一个目的是提供一种流体扩散板和筒体（barrel），通过消除处理槽中的盲区并且允许处理流体平稳和均匀地流动而具有改进的处理效率和均匀度。本发明还在于提供一种使用所述流体扩散板或筒体对物体进行湿处理的设备和方法。 

技术解决方案 

一方面，本发明提供了一种在对物体进行湿处理的设备中使用的流体扩散板，该流体扩散板包括：由上表面、下表面和侧表面限定的内部空间；以及用于将处理流体供应至内部空间的流体供应单元，其中贯穿上表面和下表面形成有多个通孔，从而所述通孔通过隔板（barrier）与内部空间隔离，并且其中，在上表面的未形成通孔的部分中形成有穿过上表面与内部空间连通的多个流体排放孔。 

另一方面，本发明提供了一种筒体，其包括：互相平行布置的多个物体支撑杆，多个沟槽形成在物体支撑杆的表面上，使得具有平板形状的待被处理的物体安装成在垂直于沟槽的长度方向的方向上直立在沟槽上；两个侧板，分别用于可旋转地安装多个物体支撑杆的两端；以及旋转装置，用于通过旋转物体支撑杆来旋转物体，其中，在物体支撑杆中形成有用于将处理流体喷射至物体的处理流体喷射孔和用于将处理流体供应至处理流体喷射孔的处理流体通道。