[发明专利]形成太阳能电池的缓冲层的方法和由此形成的太阳能电池

权利要求书

1.一种制造光伏器件的缓冲层的方法，包括：

提供衬底，所述衬底具有设置在所述衬底上方的背接触层和设置在所述背接触层上方的吸收层；

在所述吸收层上沉积金属层；以及

在包括硫、硒或氧的环境中对沉积的所述金属层实施快速热退火处理以形成缓冲层，使得所述吸收层具有由硫、氧和硒所组成的组中的元素的原子百分比，所述吸收层和所述缓冲层之间的界面处的元素的原子百分比大于所述吸收层和所述背接触层之间的界面处的元素的原子百分比。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括由镉、锌、铟和Zn_1-xMg_x所组成的组中的其中一种材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括镉，并且所述环境包括由硫和H₂S所组成的组中的至少一种材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括锌，并且所述环境包括由硫和H₂S所组成的组中的至少一种材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括铟，并且所述环境包括由硫和H₂S所组成的组中的至少一种材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括铟，并且所述环境包括由硒和H₂Se所组成的组中的至少一种材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括Zn_1-xMg_x，并且所述环境包括氧。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述吸收层上沉积所述金属层的步骤包括沉积1nm至1000nm的金属。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述吸收层上沉积所述金属层的步骤包括沉积5nm至500nm的金属。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述缓冲层具有13nm至1300nm范围内的厚度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述环境进一步包括惰性气体。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述快速热退火在300℃至600℃的温度下实施。

13.一种制造光伏器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方形成背接触层；

在所述背接触层上方形成吸收层；

在所述吸收层上溅射金属层，所述金属层包括由镉、锌、铟和Zn_1-xMg_x所组成的组中的其中一种材料；以及

在包括硫、硒或氧的环境中对沉积的所述金属层实施快速热退火以形成缓冲层,使得所述吸收层具有由硫、氧和硒所组成的组中的元素的原子百分比，所述吸收层和所述缓冲层之间的界面处的元素的原子百分比大于所述吸收层和所述背接触层之间的界面处的元素的原子百分比；以及

在所述缓冲层上方形成前接触层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述金属层包括由镉、铟、和锌所组成的组中的其中一种材料，并且所述环境包括由硫和H₂S所组成的组中的至少一种材料。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述金属层包括铟，并且所述环境包括由硒和H₂Se所组成的组中的至少一种材料。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述金属层包括Zn_1-xMg_x，并且所述环境包括氧。