[发明专利]一种无硅基的圆片级LED封装方法

权利要求书

1.一种无硅基的圆片级LED封装方法，其工艺过程如下：

提供带有导电电极（200）的硅本体（100），所述导电电极（200）为两个或两个以上；

提供若干个带有正负电极（310）的LED芯片（300）；

将LED芯片（300）倒装于导电电极（200）上，所述硅本体（100）之上通过背胶、印刷或喷涂的方式形成光致发光层（400），所述光致发光层（400）覆盖LED芯片（300）的出光面；

通过研磨和/或蚀刻工艺将硅本体（100）去除，露出导电电极（200）；

通过电镀或化学镀的方法在所述导电电极（200）的表面镀金属焊接层（500），所述金属焊接层（500）直接与导电电极（200）相连，并且在金属焊接层（500）的表面涂覆线路表面保护层（600），并形成线路表面保护层开口（610）；

通过晶圆切割分离的方法形成单颗无硅基的圆片级LED封装结构。

2.根据权利要求1所述的一种无硅基的圆片级LED封装方法，其特征在于：所述导电电极（200）通过溅射、光刻和/或电镀的方法形成于硅本体（100）上。

3.根据权利要求1或2所述的一种无硅基的圆片级LED封装方法，其特征在于：所述导电电极（200）为铜/锡或金/锡。

4.根据权利要求1所述的一种无硅基的圆片级LED封装方法，其特征在于：所述倒装是通过热压焊或倒装回流的方式完成。

5.根据权利要求1所述的一种无硅基的圆片级LED封装方法，其特征在于：所述光致发光层（400）的出光面为平面、弧面或透镜面。

6.根据权利要求1所述的一种圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述金属焊接层（500）为钛/铜、钛钨/铜或钛钨/金。

7.根据权利要求1所述的一种圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述蚀刻为干法蚀刻或湿法蚀刻。