[发明专利]竖直半导体器件、其制造方法、以及组件和系统

权利要求书

1.一种竖直半导体器件，包括：

柱体，其具有竖直沟道区；

位线，其埋入到半导体基板中并位于所述柱体下方；

第一主体连接单位，其构造成将所述柱体的第一竖直部分连接至所述半导体基板；以及

第二主体连接单位，其构造成将所述柱体的第二竖直部分连接至所述半导体基板，所述第二竖直部分与所述第一竖直部分相对，

其中，所述第一主体连接单位和所述第二主体连接单位布置在所述柱体的两个相对的侧壁上，并且

所述第一主体连接单位和所述第二主体连接单位与所述柱体一体地形成为单个主体。

2.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，还包括：

下部接面区域，其形成在所述柱体与所述位线之间；以及

上部接面区域，其形成在所述柱体上方。

3.根据权利要求2所述的竖直半导体器件，其中，

所述下部接面区域和所述上部接面区域均包括掺有杂质的非晶硅层或多晶硅层。

4.根据权利要求3所述的竖直半导体器件，还包括：

阻挡金属层，其形成在所述下部接面区域与所述位线之间。

5.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，还包括：

栅极，其与所述柱体的第三竖直部分相连，所述第三竖直部分为与所述第一竖直部分和所述第二竖直部分正交的侧壁。

6.根据权利要求5所述的竖直半导体器件，其中，

所述第一主体连接单位不将所述半导体基板连接至所述柱体的第三竖直部分。

7.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，还包括：

第一绝缘膜，其形成在所述位线下方；以及

第二绝缘膜，其形成在所述第一绝缘膜以及所述位线的两个侧壁下方。

8.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，其中，

所述第一主体连接单位和所述第二主体连接单位关于所述柱体对称地布置，使得所述柱体借助所述第一主体连接单位和所述第二主体连接单位两者连接至所述半导体基板。

9.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，其中，

所述第一主体连接单位和所述第二主体连接单位关于所述柱体非对称地布置。

10.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，其中，

所述柱体以及所述第一主体连接单位和所述第二主体连接单位是外延生长层。

11.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，其中，

所述第一主体连接单位和所述第二主体连接单位包括与所述柱体的材料相同的材料。

12.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，还包括：

空气间隙，其位于所述位线与相邻的位线之间。

13.根据权利要求12所述的竖直半导体器件，还包括：

场阻止层，所述场阻止层通过向所述空气间隙的下部注入杂质而形成。

14.一种形成竖直半导体器件的方法，包括：

通过蚀刻半导体基板来形成第一凹陷部；

在所述第一凹陷部的下部形成位线，所述位线沿着第一方向延伸；

形成硅层，所述硅层从所述半导体基板延伸并形成在所述半导体基板和所述位线上，从而将所述位线埋入到所述半导体基板中；

通过蚀刻所述硅层和所述半导体基板，而在相邻的位线之间形成第二凹陷部，其中，蚀刻后的硅层的第一侧壁与所述半导体基板相连；

通过沿着与所述位线交叉的第二方向蚀刻所述硅层，来形成柱体；以及

形成栅极，所述栅极与所述柱体的第三侧壁相连，所述第三侧壁与所述第一侧壁正交。