[发明专利]具有侧面电极的LED芯片及其封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及LED封装技术领域，具体的说是一种具有侧面电极的LED芯片及其封装结构。

背景技术

对于LED（Light Emitting Diode，发光二极管）而言，LED芯片及其封装结构直接决定了其光提取效率，是影响LED发光效率的主要因素之一。目前，主要有两种芯片及其封装结构：正装芯片封装结构和倒装芯片封装结构，两者都是单面出光的封装结构。

正装芯片及其封装结构如图1与图2所示，芯片结构包括衬底1、N型层2、发光层3、P型层4、P电极6和N电极5。封装结构包括LED芯片、封装支架9、焊线7和封装层8。LED芯片在正向偏压的电流作用下，发出单色光（如，蓝光），光线射出时需要穿透P型层4和封装层8。由于P电极6和焊线7的存在，相当一部分光会被阻挡住，降低了LED的发光效率。

为了克服P电极和焊线对光线的阻挡，如今普遍采用倒装芯片封装结构，如图3与图4所示，倒装芯片结构包括衬底10、N型层20、发光层30、P型层40、反射层50、P电极70和N电极60。P电极70和N电极60分别位于P型层40与N型层20的下方，反射层50设置在P电极70与P型层40之间。发光层30朝封装支架80方向射出的光线经过反射之后再从衬底10一侧射出封装层90。此种结构，不需要使用焊线，且P电极70位于P型层40下方，避免了P电极70和焊线对LED发光效率的影响，可以提高LED的发光效率，但是反射层的反射率不可能达到100%，LED芯片射出的光线仍然会有部分损失。

发明内容

本发明的其中一目的在于提供了一种具有侧面电极的LED芯片。

本发明的另一目的在于提供一种使用上述具有侧面电极的LED芯片的封装结构。

为了达到上述目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种具有侧面电极的LED芯片，包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极，该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面；该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层，该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面。

作为本发明的优选技术方案，所述N电极、该P电极与该衬底的侧面之间分别设有一反射层。

作为本发明的优选技术方案，所述P型层上覆盖有一透明的导电层，该导电层的一端与该P电极相连接。

一种封装结构，包括LED芯片与封装支架；该LED芯片包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极。

该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面；该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层，该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面；

该封装支架上开设有放置该LED芯片的通孔，该LED芯片设于该通孔内，其N电极与P电极侧分别设有焊接层，该N电极与P电极分别通过该焊接层与该封装支架导电连接。

作为本发明的优选技术方案，所述N电极、该P电极与该衬底的侧面之间分别设有一反射层。

作为本发明的优选技术方案，所述LED芯片的P型层上覆盖有一透明的导电层，该导电层的一端与该P电极相连接。

作为本发明的优选技术方案，所述LED芯片的上表面与下表面分别设有封装层。

作为本发明的优选技术方案，所述封装层为荧光胶、环氧树脂、透明塑胶或玻璃材质的封装层。

作为本发明的优选技术方案，所述封装支架上的通孔的深度与该LED芯片的厚度一致。

作为本发明的优选技术方案，所述焊接层为锡层。

与现有技术相比，本发明所述的LED芯片，其上、下两个表面均可射出光线，大大提高了LED芯片的发光效率；采用此种LED芯片的封装结构，其LED芯片可以通过两侧的P电极与N电极作为焊盘分别与LED支架固定，形成的LED器件，其上、下两个表面均可射出光线，大大提高了LED器件的发光效率。

附图说明

图1为已知技术中正装LED芯片的示意图。

图2为采用图1所示的正装LED芯片的封装结构示意图。

图3为已知技术中倒装LED芯片的示意图。

图4为采用图3所示的倒装LED芯片的封装结构示意图。

图5为本发明中LED芯片第一实施例的示意图。

图6为本发明中LED芯片第二实施例的示意图。

图7为本发明中采用图6所示的LED芯片的封装结构示意图。

具体实施方式