[发明专利]具有侧面电极的LED芯片及其封装结构无效
申请号: | 201310200107.6 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN103296173A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 王冬雷;庄灿阳 | 申请(专利权)人: | 大连德豪光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人: | 杨焕军 |
地址: | 116100 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 侧面 电极 led 芯片 及其 封装 结构 | ||
1.一种具有侧面电极的LED芯片,包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极,其特征在于:该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面;该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层,该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面。
2.根据权利要求1所述的具有侧面电极的LED芯片,其特征在于:所述N电极、该P电极与该衬底的侧面之间分别设有一反射层。
3.根据权利要求1所述的具有侧面电极的LED芯片,其特征在于:所述P型层上覆盖有一透明的导电层,该导电层的一端与该P电极相连接。
4.一种封装结构,包括LED芯片与封装支架;该LED芯片包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极,其特征在于:
该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面;该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层,该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面;
该封装支架上开设有放置该LED芯片的通孔,该LED芯片设于该通孔内,其N电极与P电极侧分别设有焊接层,该N电极与P电极分别通过该焊接层与该封装支架导电连接。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于:所述N电极、该P电极与该衬底的侧面之间分别设有一反射层。
6.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于:所述LED芯片的P型层上覆盖有一透明的导电层,该导电层的一端与该P电极相连接。
7.根据权利要求4或6所述的封装结构,其特征在于:所述LED芯片的上表面与下表面分别设有封装层。
8.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于:所述封装层为荧光胶、环氧树脂、透明塑胶或玻璃材质的封装层。
9.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于:所述封装支架上的通孔的深度与该LED芯片的厚度一致。
10.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于:所述焊接层为锡层。
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