[发明专利]四结级联太阳电池的制作方法有效
| 申请号： | 201310196952.0 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103247722A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;马翠平 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 级联 太阳电池 制作方法 | ||
1.一种四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用InP作为支撑衬底，首先在InP衬底上制备与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池；然后在InGaAsP/InGaAs双结电池上制备一InP键合层，并在所述InP键合层上键合一GaAs键合层；最后在GaAs键合层上制备与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池；所述InP键合层与GaAs键合层形成隧道结。
2.根据权利要求1所述的四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：所述InP键合层的厚度为10-50nm。
3.根据权利要求1所述的四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：所述GaAs键合层的厚度为0.01-10μm。
4.根据权利要求1所述的四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：制备InGaAsP/InGaAs双结电池的具体步骤为，在InP衬底上按照远离InP衬底的方向依次生长InP缓冲层，InGaAs子电池，第一隧道结以及InGaAsP子电池。
5.根据权利要求1所述的四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：制备GaInP/GaAs双结电池的具体步骤为，在GaAs键合层上按照远离GaAs键合层上的方向依次生长GaAs缓冲层，GaAs子电池，第二隧道结以及GaInP子电池。
6.根据权利要求1所述的四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：该方法还包括在电池的表面制作正负电极以及减反膜。
7.一种四结级联太阳电池,包括与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池和与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池,所述InGaAsP/InGaAs双结电池生长于InP衬底上；其特征在于：所述InGaAsP/InGaAs双结电池上设置有一InP键合层，所述InP键合层上键合有一GaAs键合层；所述GaInP/GaAs双结电池生长于GaAs键合层上；所述InP键合层与GaAs键合层形成隧道结。
8.根据权利要求7所述的四结级联太阳电池，其特征在于：所述InP键合层的厚度为10-50nm。
9.根据权利要求7所述的四结级联太阳电池，其特征在于：所述GaAs键合层的厚度为0.01-10μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
