[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括下列步骤：

在晶圆的第一掺杂类型的衬底上生长氧化层；

在所述晶圆表面涂覆光刻胶；

使用第一光刻掩模版进行光刻，显影后露出第一注入窗口；

通过所述第一注入窗口进行离子注入，离子穿过所述氧化层在所述衬底内形成漂移区；所述离子注入是注入第二掺杂类型的杂质离子；

去胶后再次于所述晶圆表面涂覆一层光刻胶；

使用漂移区氧化层光刻掩模版进行光刻；

对所述氧化层进行刻蚀，形成设于所述漂移区表面的漂移区氧化层。

2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在晶圆的第一掺杂类型的衬底上生长氧化层的步骤之前还包括在所述衬底内形成第一掺杂类型的阱区的步骤，所述漂移区形成于所述阱区内。

3.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。

4.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对氧化层进行刻蚀、形成漂移区氧化层的步骤之后，还包括淀积多晶硅并对所述多晶硅进行刻蚀以形成栅极的步骤，所述栅极的一部分覆盖于所述漂移区氧化层上。

5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述离子注入的注入能量为110千电子伏～130千电子伏。

6.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述通过第一注入窗口进行离子注入、在所述衬底内形成漂移区的步骤是在一次注入中形成漂移区和漏极，所述离子注入完成时，所述漂移区和漏极内注入的掺杂离子浓度一致。

7.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述通过第一注入窗口进行离子注入、在所述衬底内形成漂移区的步骤之后，还包括使用漏极光刻掩模版进行光刻并注入在所述衬底内形成漏极的步骤。

8.一种根据权利要求1-7中任一项所述的方法制造的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括第一掺杂类型的衬底，设于所述衬底内第一掺杂类型的阱区，设于所述阱区内第一掺杂类型的体区、第二掺杂类型的源极、第二掺杂类型的漂移区及第二掺杂类型的漏极，设于所述阱区表面、所述体区和源极中间的场氧区，以及设于所述漂移区表面的漂移区氧化层，设于所述阱区上的栅极，所述栅极的一部分覆盖于所述漂移区氧化层上，所述漂移区和漏极为一体结构，所述漂移区和漏极的掺杂离子浓度相同。