[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201310182928.1 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN104167349A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 彭思君;吴建宏;刘冲;严晓龙 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201506 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上制备非晶硅层；
采用等离子体工艺于所述非晶硅层上制备氧化硅层；
对所述非晶硅层进行激光多晶硅化工艺。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底包括基板和缓冲层，所述缓冲层覆盖所述基板的上表面，所述非晶硅层覆盖所述缓冲层的上表面。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为
4.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述等离子体工艺包括等离子体增强化学气相沉积工艺。
5.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备所述非晶硅层。
6.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述基板的材质为玻璃。
7.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，采用准分子激光回火设备进行所述激光多晶硅化工艺。
8.如权利要求1-7中任意一项所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述等离子体工艺为采用含氧等离子体对所述非晶硅层进行氧化处理，以制备所述氧化硅层。
9.如权利要求9所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述含氧等离子体包括含N2O和/或NO和/或O2的等离子体。
10.如权利要求1-7中任意一项所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述等离子体工艺为采用含氧的等离子体和含硅的等离子体共同作用，以于所述非晶硅层的上表面沉积所述氧化硅层。
11.如权利要求10所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述含氧等离子体包括含N2O和/或NO和/或O2的等离子体。
12.如权利要求10所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述含硅等离子体包括含SiH4和/或TEOS的等离子体。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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