[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申要求2012年5月16日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0052215号韩国专利申请的优先权，其内容通过引用整体地并入本文中。

技术领域

本发明涉及有机发光显示装置。

背景技术

通常，有机发光显示装置包括薄膜晶体管（TFT）和有机发光设备，并且当适当的驱动信号传送到有机发光设备时，有机发光设备进行发光，从而显示期望图像。

为此，TFT包括有源层、栅电极和源电极及漏电极，它们都堆放在衬底上。因此，当经由衬底中形成的互连线向栅电极提供电流时，电流经有源层流入源电极及漏电极，同时电流流入与源电极及漏电极连接的有机发光设备的像素电极中。

有机发光设备包括像素电极、面向像素电极的相对电极和置于像素电极和相对电极之间的发射层。对于这种结构，当电流经由TFT流入像素电极中时，在相对电极和像素电极之间存在适当的电压等级，因此发射层发光，从而显示图像。

发明内容

实施方式涉及一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括薄膜晶体管（TFT）、有机发光设备、中间层和相对电极，该薄膜晶体管（TFT）包括有源层、栅电极和源电极及漏电极，有机发光设备包括连接到TFT的像素电极，中间层具有发射层，相对电极接触部分将相对电极连接到功率互连线，并且连接到相对电极接触部分的功率互连线包括第一互连层和第二互连层，第一和第二互连层被堆叠并且在二者之间没有绝缘层。

第一互连层可以位于与栅电极相同的平面上。第二互连层可以由与源电极及漏电极相同的材料层形成。

有机发光显示装置还可以包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于相对电极接触部分的功率互连线的外面，并且第一绝缘层和功率互连线之间存在间隔，第二绝缘层填充第一绝缘层和功率互连线之间的间隔。

有机发光显示装置还可以包括栅绝缘层和缓冲层，栅绝缘层位于有源层和栅电极之间，缓冲层位于有源层下面，并且栅绝缘层和缓冲层包括邻近相对电极接触部分的开口部分，其中第二绝缘层还填充栅绝缘层和缓冲层的开口部分。

第二绝缘层可以位于第二互连层的端部和相对电极之间。

第二互连层可以包围第一互连层的端部。第二绝缘层可以位于第二互连层的端部和第一绝缘层之间。

第一互连层和第二互连层可以形成为相同的图案。第二绝缘层可以位于第一绝缘层和第一互连层及第二互连层的端部之间。

实施方式还涉及有机发光显示装置的制造方法，该方法包括：在衬底的相对电极接触部分中形成第一互连层，在第一互连层外面形成第一绝缘层，并且在第一互连层和第一绝缘层之间存在间隔，在第一互连层上形成第二互连层以形成包括多个互连层的功率互连线，在第二互连层的端部上和在功率互连线和第一绝缘层之间形成第二绝缘层，以及在第二绝缘层上形成相对电极以使相对电极接触功率互连线。

该方法还包括形成薄膜晶体管（TFT）的有源层、栅电极、和源电极及漏电极，其中第一互连层和栅电极由相同的材料形成在同一平面中，第二互连层和源电极及漏电极由相同的材料层形成。

该方法还包括：在衬底上顺序地沉积缓冲层和栅绝缘层以使栅绝缘层和缓冲层包括与相对电极接触部分邻近的开口部分，并且形成填充栅绝缘层和缓冲层的开口部分的第二绝缘层。

第二互连层可以包围第一互连层的端部。第二绝缘层可以置于第二互连层的端部和第一绝缘层之间。

第二互连层可以与第一互连层相同的图案形成在第一互连层上。第二绝缘层可以置于第一绝缘层和第一互连层及第二互连层的端部之间。

附图简要说明

通过参照附图详细地描述示例性实施方式，本发明的特征对于本领域的技术人员而言将是显而易见的，在附图中：

图1是根据一个实施方式的有机发光显示装置的剖视图；

图2A-2F是根据一个实施方式的图1的有机发光显示装置的制造方法的剖面图；

图3是根据另一实施方式的有机发光显示装置的剖视图；以及

图4A-4F是根据一个实施方式的图3的有机发光显示装置的制造方法的剖面图。

具体实施方式

一系列元件之前的诸如“至少一个”的表述用于修饰该系列的所有元件，而不是修饰该系列元件中的单个元件。

在下文中，通过参照附图描述示例性实施方式将详细地描述实施方式。在附图中，相同的参考标记表示相同的部分。