[发明专利]用于清洗基板的装置和方法

说明书

技术领域

这里公开的本发明涉及一种用于制造半导体基板的装置和方法，并且更具体地说，涉及一种用于清洗基板的装置和方法。

背景技术

通常来说，通过在诸如晶片的基板上执行诸如照相处理、蚀刻处理、离子注入处理以及沉积处理的多种处理来制造半导体器件。

此外，当执行每个处理的同时，执行用于移除附接到基板的各种污染物的清洗处理。清洗处理包括：通过使用化学制品将附接到基板的污染物移除的化学处理过程；通过使用纯净水来移除保留在基板上的化学制品的湿式清洗处理；以及用于通过提供干燥流体来移除保留在基板的表面上的纯净水的干燥处理。

其中，通过将氮气供给到其上保留有纯净水的基板上来执行干燥处理。然而，由于形成在基板上的每个图案的线宽都减小，并且每个图案的纵横比都增加，因此难以移除存在于图案之间的纯净水。最近，具有比纯净水更大的挥发性以及比纯净水更小的表面张力的诸如异丙醇的液体有机溶剂可以替代纯净水，并且然后，可以供给氮气以干燥基板。

即使是此方法，也不能均匀地干燥基板的图案表面以致使图案坍塌。在下文中，将描述在干燥处理过程中出现的倾斜现象的发生过程。

图1和图2是示出其中当通过使用净化气体干燥基板时出现的基板倾斜现象的过程的视图。

参照图1，当有机溶剂或纯净水保留在基板W的图案P上时，可以将净化气体供给到基板W的上部上以使基板W干燥。例如，净化气体供给件460布置在基板W上方，以当净化气体供给件460在基板W的中间区域与边缘区域之间移动时将净化气体供给到基板W的整个区域上。尽管未示出，但当供给净化气体时基板W可以旋转。即使执行上述干燥处理，形成在基板W上的图案P之间的干燥速率可能是不同的。

参照图2，当基板W的图案P之间的干燥速率不同时，保留在图案P之间的处理溶液或纯净水的量可以是不同的。因此，在基板W的图案P之间的剩余溶液上产生的表面张力可能是不同的。当在图案P之间出现表面张力差时，致使图案P的倾斜现象的施加在每个图案P的左右方向上的力可以是不同的。

基板处理过程由于倾斜现象而在效率上减小。

发明内容

本发明提供了一种用于清洗基板的装置与方法，其能够改进基板上的干燥效率。

本发明还提供了一种用于清洗基板的装置与方法，其以基本均匀的速率干燥基板的整个区域以防止在基板上出现图案的倾斜现象。

本发明的特征不限于如上所述，而且本领域中的技术人员将会从下面的描述中清楚地理解这里未描述的其它特征。

本发明的实施方式提供了基板清洗装置。基板清洗装置包括：第一处理室，在该第一处理室中通过供给处理溶液而在基板上执行液体处理过程；第二处理室，在第二处理室中在基板上执行干燥处理；以及传送单元，该传送单元在第一处理室与第二处理室之间传送基板，其中第一处理室包括：液体处理壳体，该液体处理壳体提供空间，在该空间中在基板上执行液体处理过程；旋转卡盘，该旋转卡盘在液体处理壳体内支撑基板；以及液体供给件，该液体供给件将处理溶液供给到通过旋转卡盘支撑的基板上，其中第二处理室包括：干燥壳体，该干燥壳体提供在其中干燥基板的空间；基板支撑件，该基板支撑件在干燥壳体内支撑基板；以及加热器，该加热器加热基板。

在一些实施方式中，基板支撑件可以具有顶部表面，该顶部表面由具有比旋转卡盘的顶部表面的耐热性更大耐热性的材料形成。

在其它实施方式中，基板支撑件的顶部表面可以由钢材料形成，并且旋转卡盘的顶部表面可以由聚四氟乙烯材料形成。

在此外的实施方式中，加热器可以布置在基板支撑件中。

在此外的实施方式中，第二处理室还可以包括：净化气体供给件，该净化气体供给件将净化气体供给到干燥壳体中；以及排放件，该排放件将净化气体与烟排放到干燥壳体的外部。

在此外的实施方式中，净化气体可以包括惰性气体。

在此外的实施方式中，基板支撑件可以包括;支撑板，该支撑板布置在基板支撑件上以面向基板，支撑板与基板一起旋转；以及旋转件，该旋转件使支撑板旋转。

在本发明的其它实施方式中，基板清洗装置包括：第一处理室，在该第一处理室中通过供给处理溶液而在基板上执行液体处理过程；传送单元，该传送单元从第一处理室传送基板；以及干燥件，该干燥件使传送的基板干燥，其中干燥件布置在传送单元中。