[发明专利]盖帽层粗化光电器件的制备方法

权利要求书

1. 一种盖帽层粗化光电器件的制备方法，其特征在于，包括：提供具有粗化结构的模板，并将所述模板与用以形成光电器件盖帽层的有机涂覆层结合，使模板上的粗化结构转移至有机涂覆层，而后对有机涂覆层进行固化处理，并将模板与有机涂覆层分离，获得具有粗化结构的盖帽层。

2. 根据权利要求1所述的盖帽层粗化光电器件的制备方法，其特征在于，该方法中，在将所述模板与有机涂覆层结合之前，还对所述模板进行了防粘处理。

3. 根据权利要求2所述的盖帽层粗化光电器件的制备方法，其特征在于，所述防粘处理包括：在所述模板表面涂覆防粘剂，所述防粘剂包括硅油。

4. 根据权利要求1-3中任一项所述的盖帽层粗化光电器件的制备方法，其特征在于，所述有机涂覆层覆设于光电器件表面。

5. 根据权利要求1所述的盖帽层粗化光电器件的制备方法，其特征在于，所述模板包括硬模板，所述硬模板包括硅模板、多孔氧化铝模板或者硅基多孔氧化铝模板。

6. 根据权利要求1或2所述的盖帽层粗化光电器件的制备方法，其特征在于，所述有机涂覆层的材料包括环氧树脂或硅胶体。

7. 根据权利要求1所述的盖帽层粗化光电器件的制备方法，其特征在于， 所述粗化结构包括凹陷和/或凸起的规则或不规则图形结构。

8. 根据权利要求1所述的盖帽层粗化光电器件的制备方法，其特征在于，所述模板的制备方法包括如下步骤：

（1）提供用以制作所述粗化结构的掩膜版；

（2）在用以形成所述模板的基材上涂覆光刻胶，并采用光刻工艺将掩膜版上的图形结构转移至模板的光刻胶层，所述光刻工艺包括紫外光刻、电子束光刻以及步进式非接触光刻；

（3）对模板进行刻蚀，将光刻胶层上的图形结构转移至基材；

（4）依次对步骤（3）处理后的基材进行去胶、清洗、烘干处理，获得所述模板。

9. 根据权利要求1所述的盖帽层粗化光电器件的制备方法，其特征在于，所述模板的制备方法包括如下步骤：

（1）在基材表面垫积氧化硅层；

（2）在氧化硅层表面蒸镀金属镍层，并对金属镍层退火形成镍球；

（3）使用镍球作为掩膜刻蚀氧化硅层，从而将镍球的图形转移至氧化硅层；

（4）使用氧化硅为掩膜刻蚀基材，而后除去基材表面的氧化硅，再依次经清洗、烘干，获得所模板。

10. 根据权利要求8或9所述的盖帽层粗化光电器件的制备方法，其特征在于，所述模板的制备方法中所使用的刻蚀工艺包括干法刻蚀或者湿法腐蚀工艺。