[发明专利]CMOS器件的制造方法

权利要求书

1.一种CMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、利用光刻刻蚀工艺在硅衬底上形成浅沟槽，由所述浅沟槽定义出有源区；在所述浅沟槽中填充氧化硅形成浅沟槽场氧，由所述浅沟槽场氧对所述有源区进行隔离；

步骤二、进行离子注入形成CMOS器件的阱区，所述CMOS器件的阱区包括用于形成NMOS器件的P型阱区和用于形成PMOS器件的N型阱区；

步骤三、在所述硅衬底的正面依次生长栅氧化层、多晶硅层，在用于形成NMOS器件的栅极区域的所述多晶硅层中进行N型离子注入、在用于形成PMOS器件的栅极区域的所述多晶硅层中进行P型离子注入；

步骤四、在进行了N型和P型离子注入的所述多晶硅层表面依次沉积金属硅化钨层和顶层氮化硅层；

步骤五、采用光刻工艺定义出NMOS器件或PMOS器件的栅极图形，进行第一次干法异向刻蚀工艺，所述第一次干法异向刻蚀工艺并将NMOS器件或PMOS器件的栅极区域外的所述顶层氮化硅层去除并露出所述金属硅化钨层表面；进行第二次干法异向刻蚀工艺，所述第二次干法异向刻蚀工艺将NMOS器件或PMOS器件的栅极区域外所述金属硅化钨层部分去除；进行第三次干法同向刻蚀工艺，所述第三次干法同向刻蚀工艺将NMOS器件或PMOS器件的栅极区域外所述金属硅化钨层全部去除、且将NMOS器件或PMOS器件的栅极区域内的所述金属硅化钨层部分去除；进行第四次干法异向刻蚀工艺，所述第四次干法异向刻蚀工艺将NMOS器件或PMOS器件的栅极区域外所述多晶硅层去除，所述第四次干法异向刻蚀工艺完成后在NMOS器件或PMOS器件的栅极区域内形成由所述多晶硅层、所述金属硅化钨层和所述顶层氮化硅层组成的栅极结构。

2.如权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于：在步骤五形成所述栅极结构之后还包括如下步骤：

步骤六、在所述硅衬底正面沉积侧墙介质层，对所述侧墙介质层进行刻蚀并在所述栅极结构的侧面形成有刻蚀后余下的所述侧墙介质层组成的侧墙；

步骤七、在形成所述侧墙后的所述硅衬底正面沉积层间膜，所述层间膜将所述栅极结构以及所述栅极结构外的区域全部覆盖；

步骤八、采用光刻工艺定义出自对准接触孔区域，对所述自对准接触孔区域的所述层间膜全部去除形成自对准接触孔，所述自对准接触孔的底部区域大小由相邻两个所述栅极结构的所述侧墙之间的距离自定义。