[发明专利]室温下水相半导体纳米晶的自分离方法无效
| 申请号： | 201310138270.4 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103194237A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张皓;周鼎;刘敏;潘洪兵;杨柏 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 室温 下水 半导体 纳米 分离 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种室温下水相半导体纳米晶的自分离方法，其特征在于：在容器中加入镉盐，然后用水溶解，再加入巯基小分子，离子型碲源或离子型硒源，再加入NaBH4，最后在反应体系中加入氨类化合物水溶液，稍微摇晃并在室温下放置3～5小时后，即在容器底部得到自分离下来的半导体纳米晶；反应体系中，镉盐的浓度为1.0×10-4～1.0×10-2mol/L，镉盐、离子型碲源或离子型硒源、巯基小分子、NaBH4、氨类化合物的摩尔比为1：0.1～0.2：1.5～2.4：3.3～10.5：176～20000。
2.如权利要求1所述的一种室温下水相半导体纳米晶的自分离方法，其特征在于：镉盐是CdCl2或Cd(ClO4)2。
3.如权利要求1所述的一种室温下水相半导体纳米晶的自分离方法，其特征在于：离子型碲源是Na2TeO3，离子型硒源是Na2SeO3。
4.如权利要求1所述的一种室温下水相半导体纳米晶的自分离方法，其特征在于：巯基小分子是巯基丙酸或巯基乙胺。
5.如权利要求1所述的一种室温下水相半导体纳米晶的自分离方法，其特征在于：氨类化合物是N2H4·H2O或NH3。
6.如权利要求5所述的一种室温下水相半导体纳米晶的自分离方法，其特征在于：氨类化合物是浓度为50wt%～85wt%的N2H4·H2O溶液或浓度为25wt%～28wt%的氨气水溶液。
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