[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法无效
| 申请号： | 201310122246.1 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103199052A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张明华;严钧华;黄耀东;方精训;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次覆盖氧化层和氮化层；
进行曝光与刻蚀工艺，形成浅沟槽图形；
沉积隔离层，所述隔离层填满所述浅沟槽图形；
对所述隔离层实施平坦化处理，平坦化处理后留下部分隔离层；
湿法刻蚀去除剩余隔离层后再去除所述氮化层。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述氧化层为氧化硅和氮氧化硅中的一种或其组合，所述氮化层为氮化硅和氮氧化硅中的一种或其组合。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述隔离层的材质为氧化硅。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，对所述隔离层实施平坦化处理采用化学机械研磨法。
5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述化学机械研磨使用碱性二氧化硅作为研磨液。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，在对所述隔离层实施平坦化处理之后，所述氮化层上剩余的隔离层厚度为50埃～1000埃。
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，采用氢氟酸溶液去除所述剩余隔离层。
8.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中的氢氟酸的质量百分比为45%～55%，所述氢氟酸溶液的蚀刻率为
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，采用磷酸溶液去除所述氮化层。
10.如权利要求9所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述磷酸溶液中磷酸的质量百分比为80%～90%，所述磷酸溶液的蚀刻率为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
