[发明专利]多层相变存储器有效
| 申请号： | 201310115877.0 | 申请日： | 2004-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103258569A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | B.G.约翰逊;S.J.赫金斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 相变 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种方法，包括：
形成在较多导电状态和较少导电状态之间变化的双向材料；以及
在所述相变材料上形成基本上结晶的非转换双向材料并且使所述相变材料与所述基本上结晶的非转换双向材料接触，其中所述基本上结晶的非转换双向材料永久地是低电阻率。
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