[发明专利]用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法

权利要求书

1.一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，其特征在于，该方法步骤为：

（1）在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层；

（2）在形成N型埋层和P型埋层的单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；

（3）在单晶硅片二上生长埋氧层；

（4）对已形成介质隔离区的所述单晶硅圆片一与已形成埋氧层的所述单晶硅圆片二进行正面硅硅键合，形成SOI硅材料片；

（5）在所述SOI硅材料片上，对其单晶硅片一那面的衬底进行减薄、CMP精抛光，最终形成所述用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片。

2.根据权利要求1所述的用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，其特征在于：所述在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层的步骤为：对单晶硅片一进行RCA清洗，制作圆片的零层对位标记，生长薄氧化层，注入形成P型埋层和P型埋层，退火。

3.根据权利要求1所述的用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，其特征在于：所述在形成N型埋层和P型埋层的硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅的步骤为：光刻出介质隔离槽区，干法腐蚀二氧化硅，干法腐蚀硅，形成深槽，去胶，RCA清洗，牺牲层氧化，2：1HF漂牺牲层30秒，RCA清洗，沟阻氧化生长，LPCVD工艺淀积填槽多晶硅层，多晶硅层厚度≥2μm，填槽多晶硅CMP平坦化，最终把多晶硅表面抛成镜面，形成介质隔离区。

4.根据权利要求1所述的用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，其特征在于：所述在单晶硅片二上生长埋氧层的步骤为：对单晶硅片二进行RCA清洗，氧化，形成埋氧层。

5.根据权利要求1所述的用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，其特征在于：所述对已形成介质隔离区的所述单晶硅圆片一与已形成埋氧层的所述单晶硅圆片二进行正面硅硅键合的步骤为：对单晶硅片一和单晶硅片二，RCA清洗，预键合，用红外设备检查是否存在空洞，在O₂或N₂的环境中，经过3.5～4.5小时在1050±10℃下的处理，形成硅材料片SOI片。

6.根据权利要求1所述的用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，其特征在于：所述在所述SOI硅材料片上，对其单晶硅片一那面的衬底进行减薄、CMP精抛光的步骤为：对SOI片进行RCA清洗，对单晶硅片一那面进行减薄，预留所需的有源外延层厚度，其厚度由互补双极工艺器件参数的不同要求而决定，有源外延层厚度的检测，CMP精抛光，达到镜面，RCA清洗，检测硅片的最终厚度，最终形成所述的用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片。