[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201310110082.0 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104078363A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘;尹海洲;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，包括：
在衬底上形成鳍片结构；
在鳍片结构上形成介质材料构成的假栅极层；
刻蚀假栅极层形成假栅极堆叠结构。
2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，在衬底上形成鳍片结构的步骤进一步包括：刻蚀衬底，形成沿第一方向延伸的多个鳍片结构以及鳍片结构之间的沟槽；在沟槽中填充绝缘材料形成浅沟槽隔离。
3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，在形成假栅极层之前，还包括在鳍片结构上形成介质材料构成的假栅极衬层。
4.如权利要求1或3的半导体器件制造方法，其中，假栅极层和/或假栅极衬层的材料选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶碳、高k材料及其组合。
5.如权利要求4的半导体器件制造方法，其中，高k材料包括但不限于：氮化物，包括SiN、AlN、TiN；金属氧化物，包括MgO、Al2O3、Ta2O5、TiO2、ZnO、ZrO2、HfO2、CeO2、Y2O3、La2O3；氮氧化物，包括HfSiON；钙钛矿相氧化物，包括PbZrxTi1-xO3（PZT）、BaxSr1-xTiO3（BST）；以及上述材料的组合。
6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，假栅极层的厚度为
7.如权利要求3的半导体器件制造方法，其中，假栅极衬层的厚度为
8.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成假栅极堆叠结构之后，进一步包括：以假栅极堆叠结构为掩模，离子注入或者外延生长形成源漏区。
9.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，形成源漏区之后，进一步包括：在器件上形成层间介质层；刻蚀去除假栅极堆叠结构，留下栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。
10.如权利要求9的半导体器件制造方法，其中，层间介质层的材料不同于假栅极层的材料。
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