[发明专利]自对准双构图方法及NAND闪存的金属互连结构在审
| 申请号： | 201310106738.1 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104078417A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 构图 方法 nand 闪存 金属 互连 结构 | ||
1.一种自对准双构图方法，其特征在于，包括：
提供待刻蚀层，在所述待刻蚀层上形成具有一组沟槽的含硅抗反射层；
在所述含硅抗反射层上形成厚度一致的覆盖层；
回蚀所述覆盖层形成侧墙；
去除所述含硅抗反射层，保留其周围的侧墙，所述含硅抗反射层采用含氢氧化烷基铵的溶液去除；
以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层形成双构图的图案。
2.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述含硅抗反射层采用旋涂法形成。
3.根据权利要求2所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述含硅抗反射层在旋涂后，在50℃～400℃下烘烤。
4.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，采用含氢氧化烷基铵的溶液去除所述含硅抗反射在50℃～300℃下进行。
5.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述含硅抗反射层内的沟槽采用光刻、刻蚀法形成。
6.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述待刻蚀层为多晶硅、金属或二氧化硅。
7.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述覆盖层的材质为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅或上述至少两种材料的组合。
8.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述覆盖层采用原子层沉积法形成。
9.根据权利要求1所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述待刻蚀层还包括硬掩膜层。
10.根据权利要求9所述的自对准双构图方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化钛、氮化铝、氮化铜或上述至少两种材料的组合。
11.根据权利要求1至10中任意一项所述的自对准双构图方法形成的NAND闪存的金属互连结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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