[发明专利]具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座

权利要求书

1.一种具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，所述发光二极管晶片沿一光轴方向发光，其特征在于，该承载座包括：

一基座，包含一塑胶杯体及固置于该塑胶杯体的一导线架，该塑胶杯体内设有至少一凹坑部，该凹坑部内具有一底壁及形成在该底壁周缘的一环壁，该环壁上具有相对的一第一侧壁及一第二侧壁，所述发光二极管晶片固定在该底壁并和该导线架电性连接，并该第一侧壁和所述光轴之间形成一第一夹角，该第二侧壁和所述光轴之间形成一第二夹角，该第一夹角的角度大于该第二夹角的角度。

2.如权利要求1所述的具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，其特征在于，该第一夹角的角度和该第二夹角的角度的总和等于90°。

3.如权利要求1所述的具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，其特征在于，该塑胶杯体具有一环墙及在该环墙形成一容置区，该导线架具有裸露于该容置区底部的一支架，该凹坑部形成在该支架上。

4.如权利要求3所述的具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，其特征在于，该支架包含相互分离的一第一支架及一第二支架，并该塑胶杯体于该第一支架及该第二支架之间形成一绝缘段。

5.如权利要求4所述的具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，其特征在于，凹坑部的数量为二，其一该凹坑部自该第一支架上凹设成型，另一该凹坑部自该第二支架上凹设成型，而令其一该环壁由该第一支架围设成型，另一该环壁由该第二支架围设成型。

6.如权利要求4所述的具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，其特征在于，凹坑部的数量为二，其一该凹坑部自该第一支架上及该绝缘段一侧凹设成型，另一该凹坑部自该第二支架上及该绝缘段另一侧凹设成型，而令其一该环壁由该第一支架及该绝缘段一侧围设成型，另一该环壁由该第二支架及该绝缘段另一侧围设成型。

7.如权利要求4所述的具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，其特征在于，凹坑部的数量为二，该绝缘段的高度突出该第一支架及该第二支架，其一该凹坑部形成于该环墙、该第一支架及该绝缘段之间，另一该凹坑部形成于该环墙、该第二支架及该绝缘段之间，而令其一该环壁由该环墙及该绝缘段一侧围设成型，另一该环壁由该环墙及该绝缘段另一侧围设成型。

8.如权利要求5、6或7所述的具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，其特征在于，该二凹坑部呈并列排列，并该基座于该二凹坑部之间形成一凸肋，该二第二侧壁分别形成在该凸肋的两侧。

9.如权利要求1所述的具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，其特征在于，该环壁为一矩形状环壁，该矩形状环壁具有相对的二长边段及二短边段，该第一侧壁形成在其一该短边段上，该第二侧壁形成在另一该短边段上。

10.如权利要求1所述的具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，其特征在于，该环壁为一矩形状环壁，该矩形状环壁具有相对的二长边段及二短边段，该第一侧壁形成在其一该长边段上，该第二侧壁形成在另一该长边段上。