[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201310101615.9 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078545A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管，其包括：
衬底；
第一半导体层、活性层及第二半导体层依次层叠设置于该衬底的一表面上，且所述第一半导体层靠近该衬底设置；
与所述第一半导体层电连接的第一电极；及
与所述第二半导体层电连接的第二电极；
其特征在于：所述衬底与第一半导体层接触的表面上形成有多个纳米级的孔洞。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该衬底的表面上的纳米级的孔洞呈随机性无序分布。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该衬底的表面上的纳米级的孔洞的孔径大小为20~200纳米。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括基板，该基板上相间隔地形成二焊垫，该二焊垫对应与第一电极和第二电极焊接。
5.一种发光二极管制造方法，其包括以下步骤：
第一步，提供一衬底，在该衬底上形成一层掩膜，使该掩膜覆盖该衬底；
第二步，图案化蚀刻该掩膜，该掩膜经蚀刻后形成多个贯穿该掩膜的纳米级孔洞，以局部暴露出位于掩膜下方的衬底；
第三步，图案化蚀刻未被掩膜覆盖的衬底表面，该衬底表面经蚀刻后形成多个纳米级孔洞；
第四步，移除该掩膜；
第五步，在该衬底形成有多个纳米级孔洞的表面上依次外延生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；以及
第六步，在第一半导体层的表面形成一第一电极，在第二半导体层的表面形成一第二电极。
6.如权利要求5所述的发光二极管制造方法，其特征在于：所述掩膜通过采用化学气相沉积的方法生长在该衬底的上表面。
7.如权利要求5所述的发光二极管制造方法，其特征在于：所述第二步采用氢氟酸与硝酸的混合液体蚀刻该掩膜10~60分钟。
8.如权利要求5所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该掩膜的纳米级孔洞呈随机无序分布，该掩膜的纳米级孔洞的孔径大小为20~200纳米。
9.如权利要求5所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该衬底表面上的纳米级孔洞呈随机无序分布，该衬底表面上的纳米级孔洞的孔径大小为20~200纳米。
10.如权利要求5所述的发光二极管制造方法，其特征在于：所述第三步是将衬底和掩膜放置在一感应偶合等离子体系统中，以三氯化硼和氯气为蚀刻气体沿着掩膜的纳米级的孔洞渗入来蚀刻未被掩膜覆盖的衬底表面。
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