[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310100836.4 申请日: 2013-03-27
公开(公告)号: CN103368146B 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 小山润 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18;H02J7/00;H01M10/42;H01M10/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 刘倜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种电路,包括:

构成为检测电池的电压的检测部;

构成为根据由所述检测部供应的所述电压控制所述电池的充电的电池管理单元,所述电池管理单元包括缓冲存储器和处理器;

包括第一开关和第二开关的第一开关部,所述第一开关位于所述电池与所述处理器之间,所述第二开关位于所述电池与所述缓冲存储器之间;以及

构成为通过开启或关闭所述第一开关和所述第二开关来控制由所述电池向所述处理器和所述缓冲存储器中的每一个供应电源电压的第一控制部,

其中,所述第一控制部构成为当所述检测部没有检测出所述电压时停止由所述电池向所述处理器和所述缓冲存储器中的至少一个供应所述电源电压。

2.根据权利要求1所述的电路,其中所述检测部间歇性地检测所述电池的电压。

3.根据权利要求1所述的电路,

其中所述电池管理单元根据由所述检测部供应的所述电压以及利用所述缓冲存储器在所述处理器中执行的运算处理来判断所述电池是否需要充电。

4.一种电路,包括:

构成为检测电池的电压的检测部;

构成为根据由所述检测部供应的所述电压控制所述电池的充电的电池管理单元,所述电池管理单元包括缓冲存储器和处理器;

包括第一开关和第二开关的第一开关部,所述第一开关位于所述电池与所述处理器之间,所述第二开关位于所述电池与所述缓冲存储器之间;

外部电源与所述电池之间的第二开关部;

构成为通过开启或关闭所述第一开关和所述第二开关来控制由所述电池向所述处理器和所述缓冲存储器中的每一个供应电源电压的第一控制部,以及

构成为通过开启或关闭所述第二开关部来控制由所述外部电源向所述电池供应电源电压的第二控制部,

其中,所述第一控制部构成为当所述检测部没有检测出所述电压时停止由所述电池向所述处理器和所述缓冲存储器中的至少一个供应所述电源电压,

所述缓冲存储器包括晶体管,

并且,所述晶体管的沟道形成区包含氧化物半导体。

5.根据权利要求4所述的电路,其中所述检测部间歇性地检测所述电池的电压。

6.根据权利要求4所述的电路,

其中所述电池管理单元根据由所述检测部供应的所述电压以及利用所述缓冲存储器在所述处理器中执行的运算处理来判断所述电池是否需要充电。

7.根据权利要求4所述的电路,还包括所述外部电源与所述第二开关部之间的主机系统。

8.根据权利要求4所述的电路,

其中所述第二开关部包括开关和二极管,

并且,所述第一控制部包括功率控制器。

9.根据权利要求4所述的电路,

其中所述第二控制部根据所述电池管理单元的判断控制由所述外部电源向所述电池供应所述电源电压。

10.根据权利要求4所述的电路,

其中所述晶体管的每微米沟道宽度的断态电流为100zA/μm。

11.根据权利要求4所述的电路,

其中所述缓冲存储器包括第一存储元件及第二存储元件,

所述第一存储元件是易失性存储元件,

并且所述第二存储元件包括所述晶体管。

12.根据权利要求4所述的电路,

其中所述缓冲存储器包括第一存储元件及第二存储元件,

所述第一存储元件利用由所述电池供应所述电源电压进行工作,

并且所述第二存储元件在停止由所述电池供应所述电源电压之前备份储存于所述第一存储元件中的数据。

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