[发明专利]具有超结结构的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有超结结构的半导体器件，包括：

具有第一导电类型，并在电流流动方向上延伸的多个第一柱（4）；和

具有第二导电类型，并在该电流流动方向上延伸的多个第二柱（5），其中

该第一柱（4）和该第二柱（5）在垂直于该电流流动方向的交替方向上交替地设置，从而提供该超结结构，

每个第一柱（4）提供漂移层，在导通状态的情况下用于使电流流过，

所述第一柱（4）和所述第二柱（5）在第一柱（4）和第二柱（5）之间具有边界，在截止状态的情况下耗尽层从该边界延展，并且

所述第一柱（4）和所述第二柱（5）中的至少一个具有杂质剂量，该杂质剂量在该电流流动方向上随着位置不同而是不均匀的，

其中相对于每个所述第一柱（4）的电流流动方向上的宽度在下端部最宽并朝着上侧线性地变窄，而相对于每个所述第二柱（5）的电流流动方向上的宽度在下端部最窄并朝着上侧线性地变宽，并且其中，

所述第一柱（4）的杂质剂量和/或所述第二柱（5）的杂质剂量包括第一剂量和第二剂量，

设定预定最佳杂质剂量，该最佳杂质剂量为在所述第一柱（4）的杂质剂量和/或所述第二柱（5）的杂质剂量被设为均匀的情况下使该器件具有最大击穿电压的杂质剂量，

该第一剂量比该最佳杂质剂量高预定值，并且

该第二剂量比该最佳杂质剂量低所述预定值。

2.一种具有超结结构的半导体器件，包括：

具有第一导电类型，并在电流流动方向上延伸的多个第一柱（4）；和

具有第二导电类型，并在该电流流动方向上延伸的多个第二柱（5），其中

该第一柱（4）和该第二柱（5）在垂直于该电流流动方向的交替方向上交替地设置，从而提供该超结结构，

每个第一柱（4）提供漂移层，在导通状态的情况下用于使电流流过，

所述第一柱（4）和所述第二柱（5）在第一柱（4）和第二柱（5）之间具有边界，在截止状态的情况下耗尽层从该边界延展，并且

所述第一柱（4）和所述第二柱（5）中的至少一个具有杂质剂量，该杂质剂量在该电流流动方向上随着位置不同而是不均匀的，

其中相对于每个所述第一柱（4）的电流流动方向上的宽度在下端部最宽并朝着上侧线性地变窄，而相对于每个所述第二柱（5）的电流流动方向上的宽度在下端部最窄并朝着上侧线性地变宽，并且其中，

所述第一柱（4）的杂质剂量和/或所述第二柱（5）的杂质剂量包括第一剂量、至少一个中间剂量和第二剂量，

设定预定最佳杂质剂量，该最佳杂质剂量为在所述第一柱（4）的杂质剂量和/或所述第二柱（5）的杂质剂量被设为均匀的情况下使该器件具有最大击穿电压的杂质剂量，

该第一剂量比该最佳杂质剂量高预定值，

该第二剂量比该最佳杂质剂量低所述预定值，并且

该中间剂量被设置在所述第一剂量和所述第二剂量之间的区域中。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其中

每个第一柱（4）具有第一杂质浓度，

该第一杂质浓度随着该交替方向上的位置不同而是恒定的，

每个第二柱（5）具有第二杂质浓度，

该第二杂质浓度随着该交替方向上的位置不同而是恒定的，

每个第一柱（4）在该交替方向上具有第一宽度，

每个第二柱（5）在该交替方向上具有第二宽度，并且

该第一宽度和该第二宽度在该电流流动方向上随位置而变化。

4.根据权利要求1或2所述的器件，其中

该器件是垂直型MOSFET或横向型MOSFET。