[发明专利]一种无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法无效

专利信息
申请号: 201310093359.3 申请日: 2013-03-21
公开(公告)号: CN104058749A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 李方志;汪乾;胡春峰;黄庆;张海斌 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C04B35/56 分类号: C04B35/56;C04B35/622
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 陈英俊
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 烧结 制备 钛硅碳 陶瓷 块体 材料 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及高温结构陶瓷的制备技术,特别提供了一种无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法。

背景技术

三元层状MAX相(其中M为过渡族金属元素,A为IIIA或IVA族元素,X为C或N)陶瓷是一类新型高温结构材料,近年来备受关注。这类陶瓷结合了金属和陶瓷的许多优良特性,如低密度、高强度、高模量、导电、导热、可加工、良好的抗损伤容限及抗热震性能、良好的高温抗氧化性及化学稳定性等等。这些优异的性能使得MAX相陶瓷在化工、机械、电子以及航空航天等高技术领域具有广阔的应用前景,例如作为高温结构材料用于航空发动机的涡轮叶片和定子上;作为自润滑材料制作成新一代交流电机的电刷;以及作为熔炼金属的电极材料使用。最新研究还表明:MAX相陶瓷材料(如Ti3AlC2和Ti3SiC2)具有良好的抗辐照损伤性能,有望作为第一壁材料和偏滤器材料应用于新一代核反应堆中。

然而,块体材料往往制备困难,这在很大程度上限制了MAX相陶瓷的广泛应用。目前MAX相陶瓷块体材料的制备通常伴随着较大的压力,如热压(HP)、热等静压(HIP)、放电等离子烧结(SPS)等等。这些方法成本高、能耗大,而且难以制备异型件,难以实现规模化生产。因此,为了促进MAX相陶瓷的进一步应用,开发低成本制备工艺(如净尺寸成型及无压烧结)成为亟待解决的迫切问题。

Ti3SiC2是MAX相陶瓷中研究得最为广泛的材料之一,迄今为止,这种陶瓷的无压烧结仍存在较大困难,如何抑制烧结过程中Ti3SiC2的分解是解决问题的关键所在。

发明内容

本发明的技术目的是针对现有MAX相陶瓷块体材料的制备过程中由于需要较大热压而导致的成本高、能耗大等问题,提供一种无压烧结制备钛硅碳(Ti3SiC2)陶瓷块体材料的方法,该方法能够大大降低钛硅碳陶瓷块体材料的制备成本与能耗,以实现钛硅碳陶瓷块体材料的大规模生产。

本发明实现上述技术目的所采用的技术方案为:一种无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法,具体步骤如下:

以钛硅碳粉为原料,将原料装入模具中,在20MPa~80MPa的压力下冷压成坯体,然后在150MPa~300MPa的压力下冷等静压成型,再将成型后的样品包埋在钛硅碳粉或者SiC粉中以后放入无压烧结炉中,在惰性气体保护条件或真空条件下以2℃/min~100℃/min的升温速率加热至1200℃/min~1700℃烧结0.1小时~4小时,得到钛硅碳块体陶瓷材料。

所述的钛硅碳原料粉的质量纯度优选大于等于95%,可以包括少量杂质,例如固溶铝、TiC杂质等;

所述的钛硅碳原料粉粒度优选为50~1000目;

所述的模具材料不限,包括但不限于不锈钢等。

所述的无压烧结炉指烧结过程中对烧结材料不施加压力的烧结设备,包括但不限于管式炉、马弗炉、微波烧结炉等。

所述的惰性气体包括但不限于氩气、氦气等;

作为优选,在30MPa~50MPa的压力下冷压成坯体;

作为优选,在200MPa~300MPa的压力下冷等静压成型;

作为优选,所述的升温速率为5℃/min~50℃/min,进一步优选为10℃/min~30℃/min;

作为优选,所述的加热温度为1300℃/min~1500℃,所述的烧结时间为0.5小时~2小时。

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