[发明专利]一种发光二极管电极结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201310088391.2 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104064649A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 廖丰标 | 申请（专利权）人： | 江苏扬景光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 电极 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管电极结构，包括发光组件（2），所述发光组件（2）下方设有n电极层（1），其特征在于：所述发光组件（2）上方设有p电极层（3），所述p电极层（3）上方设有p焊盘（5），所述p电极层（3）与p焊盘（5）之间设有阻障层（4）。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管电极结构，其特征在于：所述阻障层（4）的厚度为0.1～1μm。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管电极结构，其特征在于：所述阻障层（4）的材料为钛、钨、钽、钼上述材料的合金，或上述材料的硅化合物、氮化合物或硅氮化合物。
4.根据权利要求1所述的发光二极管电极结构，其特征在于：所述p电极层（3）为金锌合金、金铍合金或钛铂合金。
5.根据权利要求1所述的发光二极管电极结构，其特征在于：所述p焊盘（5）为钛和铝的合金、钛和金的合金或钛、铝和金的合金，所述p焊盘（5）的总厚度为0.5~3.0μm。
6.制造如权利要求1所述的发光二极管电极结构的方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）在半导体迭层的窗口层上沉积p电极层材料；
（2）在p电极层上沉积阻障层材料；
（3）在阻障层上沉积p焊盘材料；
（4）微影：在透光衬底的一个表面涂布感光材料；在该表面的上方放置光罩，该光罩上设有与所述图案相同的图案；曝光：使平行光经过光罩对感光材料进行选择性的曝光，使光罩的图案完整的转移至透光衬底的表面上；显影，使感光材料获得与光罩图案相同或互补的图案；
（5）干式蚀刻：对所述感光材料进行干式蚀刻，使得所述P电极结构产生一个与光罩图案相同或互补的图案；
（6）进行退火工序以得到奥姆接触：退火的工序在300-550℃的炉管中10秒至3分钟或快速热退火炉1秒至1分钟中执行。
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