[发明专利]具备充电系统的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310088108.6 申请日: 2013-03-19
公开(公告)号: CN103326414B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 见谷真;渡边考太郎 申请(专利权)人: 精工半导体有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具备 充电 系统 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种具备充电系统的半导体装置,其特征在于,所述充电系统具备:

发电单元,其供给电力;

蓄电单元,其对所述发电单元的电力进行蓄电;

开关单元,其设置在用于将所述发电单元的电力充入至所述蓄电单元的充电路径上,通过断开该开关单元而设定为非充电状态;

比较器,其由所述发电单元的电力驱动,对参照电压与所述蓄电单元的蓄电电压进行比较;以及

电平转换器,其设置在所述比较器与所述开关单元之间,对所述比较器的判定结果进行电压电平转换而从所述发电单元的发电电压转换到所述蓄电电压,并传递给所述开关单元,

所述开关单元设置在所述蓄电单元与所述比较器之间,在断开所述开关单元而设定为非充电状态时,所述比较器也由所述发电单元的电力驱动。

2.根据权利要求1所述的具备充电系统的半导体装置,其特征在于,

所述参照电压是所述发电单元的发电电压。

3.根据权利要求1所述的具备充电系统的半导体装置,其特征在于,

所述参照电压是恒压输出单元输出的恒压。

4.根据权利要求3所述的具备充电系统的半导体装置,其特征在于,

在所述恒压输出单元中,

在所述发电电压低于过充电防止电压时,所述恒压是与所述发电电压相同电平的电压,

在所述发电电压是所述过充电防止电压以上时,所述恒压是与所述过充电防止电压相同电平的电压。

5.根据权利要求3或4所述的具备充电系统的半导体装置,其特征在于,

所述开关单元由第一MOS晶体管和第二MOS晶体管构成,其中,

所述第一MOS晶体管的背栅端子和一个扩散端子连接到所述蓄电单元侧,

所述第二MOS晶体管的背栅端子和一个扩散端子连接到所述发电单元侧,另一个扩散端子连接到所述第一MOS晶体管的另一个扩散端子,

所述电平转换器具有:

第一输出端子,其根据所述判定结果来输出接地电压或者所述蓄电电压;以及

第二输出端子,其根据所述判定结果来输出接地电压或者所述发电电压,

所述第一输出端子与所述第一MOS晶体管的栅极端子连接,

所述第二输出端子与所述第二MOS晶体管的栅极端子连接。

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