[发明专利]沟槽型肖特基二极管的结构及制作方法

权利要求书

1.沟槽型肖特基二极管的制作方法，其特征在于，在完成外延层的生长后，溅射粘附层及淀积金属层前，包括有以下步骤：

1）在外延层上刻蚀出沟槽和外围终端区域；

2）生长一层二氧化硅；

3）淀积多晶硅，完全填充沟槽内部；

4）回刻多晶硅，仅保留沟槽内部和外围终端区域侧壁的多晶硅；

5）淀积二氧化硅介质层；

6）除去沟槽上方多余的二氧化硅，仅在外围终端区域保留一层二氧化硅介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1），所述外围终端区域呈长沟槽形。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），采用热氧化工艺生长二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤2），二氧化硅的厚度为。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），淀积的多晶硅的厚度为6000～。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4），采用干法回刻多晶硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5），二氧化硅介质层的厚度为2000～。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6），采用化学机械抛光工艺研磨掉沟槽上方多余的二氧化硅。

9.用权利要求1至8任何一种方法制作的沟槽型肖特基二极管的结构，其特征在于，外围终端区域侧壁的两层二氧化硅层和一层多晶硅层与外延层上表面齐平。