[发明专利]用于光场装置的图像传感器及其制造方法有效
申请号: | 201310081605.3 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN103915455B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 王唯科;张志清;吴佳惠;黄建雄;林承轩;郑杰元;陈昶维 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张艳杰,张浴月 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 装置 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于光场装置的图像传感器,包括:
多个次微透镜;
一间隔层,设置于上述次微透镜;以及
多个主微透镜,设置于上述间隔层,
其中每一上述主微透镜的一直径超过每一上述次微透镜的一直径。
2.如权利要求1所述的用于光场装置的图像传感器,还包括:
一感测层,包括多个感测单元;以及
多个滤光单元,其中每一上述滤光单元设置于上述感测单元中的一个,且每一上述次微透镜设置于上述滤光单元中的一个。
3.如权利要求1所述的用于光场装置的图像传感器,其中每一上述主微透镜的上述直径大于每一上述次微透镜的上述直径的2倍至20倍,每一上述主微透镜的一焦点位于上述次微透镜中的一个。
4.如权利要求1所述的用于光场装置的图像传感器,其中上述间隔层的一折射率小于1.6,每一上述主微透镜的一折射率小于1.7,每一上述次微透镜的一折射率大于1.7。
5.如权利要求1所述的用于光场装置的图像传感器,其中每一上述主微透镜的一折射率和上述间隔层的折射率相同。
6.如权利要求1所述的用于光场装置的图像传感器,其中上述间隔层包括SiO2,并为可透光的,上述主微透镜包括SiO2、MgF2、或是SiON,以及上述次微透镜包括SiN、TiO2、Ta2O5、或是HfO2。
7.如权利要求1所述的用于光场装置的图像传感器,其中上述主微透镜包括多个第一微透镜以及多个第二微透镜,其中每一上述第一微透镜的一焦距大于每一上述第二微透镜的一焦距,且上述第一微透镜以及上述第二微透镜交错排列。
8.如权利要求1所述的用于光场装置的图像传感器,其中上述主微透镜包括多个第一微透镜、多个第二微透镜、以及多个第三微透镜,其中每一上述第一微透镜的一焦距大于每一上述第二微透镜的一焦距,每一上述第二微透镜的一焦距大于每一上述第三微透镜的一焦距,且上述第一微透镜、上述第二微透镜以及上述第三微透镜交错排列。
9.一种图像传感器的制造方法,包括:
提供一感测层;
形成多个次微透镜于上述感测层上;
经由一半导体工艺形成一间隔层于上述次微透镜上;以及
形成多个主微透镜于上述间隔层上,其中每一上述主微透镜的一直径超过每一上述次微透镜的一直径。
10.如权利要求9所述的图像传感器的制造方法,还包括形成多个滤光单元于上述感测层,且上述感测层包括多个感测单元,其中每一上述滤光单元设置于上述感测单元中的一个,且每一上述次微透镜设置于上述滤光单元中的一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的