[发明专利]一种用于后栅工艺的光刻胶去除方法有效
| 申请号： | 201310080082.0 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104051258B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;李凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 工艺 光刻 去除 方法 | ||
1.一种用于后栅工艺的光刻胶去除方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
1）于具有多晶硅假栅的晶体管表面形成覆盖所述多晶硅假栅的硬膜层；
2）于所述硬膜层表面形成光刻胶并进行曝光，以于欲去除多晶硅的位置形成光刻窗口；
3）采用干法刻蚀法去除所述光刻窗口下方的硬膜层和多晶硅；
4）对所述光刻胶进行N等离子体处理；
5）对所述光刻胶进行F基等离子体处理；
6）对所述光刻胶进行灰化处理；
7）采用湿法清洗工艺去除所述光刻胶。
2.根据权利要求1所述的用于后栅工艺的光刻胶去除方法，其特征在于：所述硬膜层为TiN层。
3.根据权利要求1所述的用于后栅工艺的光刻胶去除方法，其特征在于：步骤4）的N等离子体处理过程中，N2的流量范围为50～5000sccm。
4.根据权利要求1所述的用于后栅工艺的光刻胶去除方法，其特征在于：步骤4）的N等离子体处理过程中，机台的功率范围为500～1500W。
5.根据权利要求1所述的用于后栅工艺的光刻胶去除方法，其特征在于：步骤4）中，N等离子体处理的时间为20～180s，温度为30～70℃。
6.根据权利要求1所述的用于后栅工艺的光刻胶去除方法，其特征在于：步骤5）的F基等离子体处理所采用的气体为CF4、CHF3、CH2F2、NF3中的一种或一种以上，气体的流量范围为10～200sccm。
7.根据权利要求1所述的用于后栅工艺的光刻胶去除方法，其特征在于：步骤5）的F基等离子体处理中，机台的功率范围为100～400W。
8.根据权利要求1所述的用于后栅工艺的光刻胶去除方法，其特征在于：步骤5）中，F基等离子体处理的时间为5～20s，温度为30～70℃。
9.根据权利要求1所述的用于后栅工艺的光刻胶去除方法，其特征在于：步骤6）采用N2及H2气体对所述光刻胶进行等离子体灰化处理。
10.根据权利要求9所述的用于后栅工艺的光刻胶去除方法，其特征在于：等离子体灰化处理所采用的功率范围为500～50000w，处理时间为60～250s，温度范围为150～300℃，H2流量范围为50～1000sccm，N2流量范围为100～5000sccm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310080082.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种汽电循环永动发电机组
- 下一篇：内燃机控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
