[发明专利]半导体器件、晶片组件以及制造晶片组件和半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法,包括：

在基板的工作表面中形成腔室，半导体元件形成在该基板中；以及

结合由玻璃材料形成的玻璃片到基板，其中腔室被至少部分地填充以玻璃材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中玻璃材料呈现玻璃转变，且当玻璃材料的温度超过玻璃转变温度时，玻璃材料流体化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中玻璃材料是无机玻璃、光结构化的玻璃或聚合物，所述无机玻璃选自由苏打石灰玻璃、非掺杂石英玻璃和掺杂有至少一种掺杂剂的石英玻璃组成的组，（多种）杂质选自包含硼、钠、钙、钾和铝的组，聚合物选自包含聚降冰片烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰亚胺或苯并环丁烯的组。

4.根据权利要求1所述的方法，还包含使用相对基板选择性地去除玻璃材料的蚀刻工艺去除腔室外部的玻璃片的过量部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中玻璃材料是粉末、玻璃粉，包括小球或是玻璃盘，且结合包括：

布置与基板的工作表面接触的玻璃材料；

相对彼此施压玻璃材料和基板，其中玻璃材料的温度和施加在玻璃材料上的力被控制，使得流体化的玻璃材料流入腔室；以及

控制温度和力以重新固化流体化的玻璃材料，重新固化的玻璃材料形成具有延伸到腔室中的突起的玻璃片，其中玻璃片被原位结合到基板。

6.根据权利要求1所述的方法，其中玻璃片被预构图有匹配腔室的突起，且预构图的玻璃片被结合到基板。

7.根据权利要求6所述的方法，其中玻璃片通过在结合之前在基板和玻璃片之间提供的粘合剂材料粘合结合到基板。

8.根据权利要求6所述的方法，其中玻璃片通过相对彼此施压玻璃片和基板被原位结合到基板，其中玻璃片的温度和施加在玻璃片上的力被控制，使得流体化的玻璃材料重新固化且重新固化的玻璃材料被结合到基板。

9.根据权利要求6所述的方法，其中：

腔室形成沿着基板的切口区域延伸的网格，其中腔室比切口区域宽；

玻璃片包含形成与由腔室形成的网格匹配的网格的突起，该方法还包括：

在结合之后，沿着切口区域分离基板以从基板获得多个半导体管芯，每个半导体管芯包括源于玻璃片的玻璃框架或玻璃盖。

10.根据权利要求9所述的方法，还包含在结合之后且在分离之前从与工作表面限定的正面相对的背面减薄基板。

11.根据权利要求10所述的方法，其中减薄在玻璃片的掩埋边缘停止。

12.根据权利要求9所述的方法，还包含在结合之前形成作为腔室的衬层的至少一个辅助层，该至少一个辅助层形成作为腔室的衬层的电钝化层、作为腔室的衬层的水汽钝化层、作为腔室的衬层的吸杂层或粘合剂层，所述吸杂层适于吸收杂质。

13.根据权利要求12所述的方法，其中减薄在作为腔室的衬层的至少一个辅助层其中之一处停止。

14.根据权利要求10所述的方法，还包括在减薄之后从背面注入杂质以形成场停止结构、用于IGBT或二极管的发射极区域和/或用于功率MOSFET的高掺杂漏极区域。

15.根据权利要求10所述的方法，还包括在结合之前在基板的工作表面上提供导电结构。

16.根据权利要求10所述的方法，还包括在减薄之后在至少400摄氏度的温度退火基板。

17.根据权利要求10所述的方法，还包括在减薄之前去除腔室外部的玻璃层的过量部分以暴露基板的工作表面。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括在暴露的工作表面上提供导电结构之后粘合结合载体到基板。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括在去除载体之后在至少400摄氏度的温度退火基板。

20.一种晶片组件，包含：

基板，其包含半导体元件和在基板的工作表面中形成的腔室；以及

玻璃片，其由至少部分地填充腔室的突起构成或包含所述突起，该玻璃片结合到基板。

21.根据权利要求20所述的晶片组件，其中突起完全填充腔室。