[发明专利]荧光封装片、发光二极管装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201310070265.4 | 申请日: | 2013-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN103311414A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
| 发明(设计)人: | 江部悠纪;大薮恭也;野吕弘司 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 荧光 封装 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种荧光封装片,其特征在于,其为用于封装发光二极管元件的荧光封装片,其具备:
荧光层、
在所述荧光层的厚度方向一侧形成的封装层、和
在所述荧光层的所述厚度方向另一侧形成的、用于与覆盖层粘接的粘接层。
2.根据权利要求1所述的荧光封装片,其特征在于,其是将所述荧光层和所述封装层层叠而得到的,所述荧光层和所述封装层具有满足下述式(A)的频率1Hz、25℃下的储能剪切模量G’。
(所述荧光层的储能剪切模量G’)/(所述封装层的储能剪切模量G’)≥20 (A)
3.根据权利要求1所述的荧光封装片,其特征在于,其是将所述荧光层和所述封装层层叠而得到的,所述荧光层和所述封装层具有满足下述式(B)的频率1Hz、25℃下的储能剪切模量G’。
(所述荧光层的储能剪切模量G’)/(所述封装层的储能剪切模量G’)<20 (B)
4.根据权利要求1所述的荧光封装片,其特征在于,所述封装层和所述粘接层含有有机硅树脂。
5.根据权利要求4所述的荧光封装片,其特征在于,所述有机硅树脂为B阶的有机硅树脂。
6.根据权利要求1所述的荧光封装片,其特征在于,所述荧光层是由选自B阶的有机硅树脂、C阶的有机硅树脂以及陶瓷板组成的组中的至少一种材料形成的。
7.一种发光二极管装置的制造方法,其特征在于,包括如下工序:
准备安装有发光二极管元件的基板的工序;
第一粘贴工序,其中,借助具备荧光层、在所述荧光层的厚度方向一侧形成的封装层、和在所述荧光层的所述厚度方向另一侧形成的粘接层的荧光封装片的所述粘接层,将所述荧光层粘贴在覆盖层上;以及
第二粘贴工序,其中,以被覆所述发光二极管元件的方式将所述封装层粘贴在所述基板上。
8.根据权利要求7所述的发光二极管装置的制造方法,其特征在于,
所述封装层和所述粘接层含有B阶的有机硅树脂,
在所述第一粘贴工序和所述第二粘贴工序中,首先实施其中一道工序然后再实施另一道工序、或者同时实施两道工序,
在实施所述另一道工序的工序或实施所述两道工序的工序中,通过加热而使所述封装层和所述粘接层的有机硅树脂成为C阶。
9.一种发光二极管装置,其特征在于,其通过包括如下工序的发光二极管装置的制造方法制造:
准备安装有发光二极管元件的基板的工序;
第一粘贴工序,其中,借助具备荧光层、在所述荧光层的厚度方向一侧形成的封装层、和在所述荧光层的所述厚度方向另一侧形成的粘接层的荧光封装片的所述粘接层,将所述荧光层粘贴在覆盖层上;以及
第二粘贴工序,其中,以被覆所述发光二极管元件的方式将所述封装层粘贴在所述基板上。
10.根据权利要求9所述的发光二极管装置,其特征在于,所述荧光层沿着与所述厚度方向垂直的方向形成为平板形状。
11.根据权利要求9所述的发光二极管装置,其特征在于,所述荧光层对应所述发光二极管元件的形状而形成。
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