[发明专利]一种OLED器件封装薄膜、制备方法以及OLED器件、封装方法有效
| 申请号: | 201310069991.4 | 申请日: | 2013-03-05 |
| 公开(公告)号: | CN103199199A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
| 发明(设计)人: | 洪瑞;李周炫;金东焕 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 oled 器件 封装 薄膜 制备 方法 以及 | ||
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种OLED器件封装用薄膜、OLED器件封装用薄膜的制备方法、OLED器件以及OLED器件的封装方法。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)器件因具有较多的优点,在显示领域有着光明的前景。但是,OLED器件中用于形成金属阴极的活泼金属对空气中的水汽和氧气非常敏感,非常容易与渗透进来的水汽发生反应,影响电荷的注入。另外,渗透进来的水汽和氧气还会与有机材料发生化学反应,这些反应是引起OLED器件性能下降、OLED器件寿命缩短的主要因素。因此,封装技术对OLED器件非常重要。
目前,OLED器件有多种封装方式,例如:玻盖(Glass)封装方式、玻璃粉(Frit)封装方式和薄膜封装(Thin Film Encapsulation,简称TFE)方式。其中,最常用的是薄膜封装方式,即采用透明薄膜对OLED器件进行封装。该封装方式具有工艺简单,能保持封装对象的轻、薄结构特性,并且能广泛应用于顶发射型OLED器件、底发射型OLED器件以及透明OLED器件、柔性OLED器件等多种OLED器件的封装中。
如图1所示,现有技术中OLED器件的封装结构为:在第一基板1上沉积形成OLED器件2,然后在OLED器件2的上方覆盖透明的薄膜4,然后通过对位方式将无图案的第二基板3与第一基板1对合。其中,透明的薄膜4一般采用高分子聚合物材料形成,具有较强的阻水阻氧性能,能较好地实现OLED器件的封装。但是,经实践证明,采用该种封装方式,由于受用于形成透明薄膜的高分子聚合物材料的限制,目前水汽透过率(Water Vapor Transmission Rate,简称WVTR)大约为10-3g/m2/day,不能完全满足OLED器件的寿命需求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种OLED器件封装用薄膜、OLED器件封装用薄膜的制备方法、OLED器件以及OLED器件的封装方法,该OLED器件封装用薄膜能有效减少从外界渗透进OLED器件中的水汽和氧气,提高OLED器件的寿命。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该OLED器件封装用薄膜,包括透明膜层,还包括阻挡膜层,所述阻挡膜层包围在所述透明膜层的周边。
优选的是,所述透明膜层的面积大于等于所述待封装OLED器件的顶面或底面的面积,所述阻挡膜层的内壁与所述透明膜层的外壁连接。
优选的是,所述透明膜层的厚度大于所述待封装OLED器件的高度,所述阻挡膜层的厚度与所述透明膜层的厚度相同。
优选的是,所述阻挡膜层的宽度范围为0.5-1.5mm,所述阻挡膜层的厚度范围为15-20μm。
优选的是,所述阻挡膜层采用在高分子聚合物中添加碱土金属氧化物的材料制成,其中,所述高分子聚合物包括聚丙烯酰胺、聚偏二氟乙烯、聚丙烯酸酯或含氟丙烯酸嵌段共聚物,所述碱土金属氧化物包括氧化钙或氧化钡。
优选的是,所述阻挡膜层中,碱土金属氧化物在高分子聚合物中的比率范围为5%-20%。
优选的是,所述阻挡膜层中碱土金属氧化物在高分子聚合物中的比率是固定的;或者,碱土金属氧化物在高分子聚合物中的比率是渐变的,所述阻挡膜层远离所述透明膜层部位的碱土金属氧化物的比率大于靠近所述透明膜层部位的碱土金属氧化物的比率。
进一步优选的是,所述透明膜层和所述阻挡膜层在与所述待封装OLED器件的顶面或底面平行的一面上还形成有第一保护膜层,相对的另一面上还形成有第二保护膜层。
一种上述的OLED器件封装用薄膜的制备方法,包括如下步骤:
S11):形成第一保护膜层;
S12):将所述第一保护膜层置于模具内,在所述第一保护膜层的上方分别形成透明膜层和阻挡膜层;
其中,所述模具包括至少一个高度不低于所述透明膜层或所述阻挡膜层的厚度的隔板,以不同时形成所述透明膜层和所述阻挡膜层;
S13):在所述透明膜层与所述阻挡膜层的上方覆盖第二保护膜层。
一种OLED器件,所述OLED器件采用权利要求1-6任一所述的OLED器件封装用薄膜封装形成。
一种采用上述的OLED器件封装用薄膜封装OLED器件的方法,包括如下步骤:
S21):在第一基板上形成待封装OLED器件;
S22):将所述OLED器件封装用薄膜转印到第二基板上;
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