[发明专利]一种OLED器件封装薄膜、制备方法以及OLED器件、封装方法

权利要求书

1.一种OLED器件封装用薄膜，包括透明膜层，其特征在于，还包括阻挡膜层，所述阻挡膜层包围在所述透明膜层的周边。

2.根据权利要求1所述的OLED器件封装用薄膜，其特征在于，所述透明膜层的面积大于等于所述待封装OLED器件的顶面或底面的面积，所述阻挡膜层的内壁与所述透明膜层的外壁连接。

3.根据权利要求2所述的OLED器件封装用薄膜，其特征在于，所述透明膜层的厚度大于所述待封装OLED器件的高度，所述阻挡膜层的厚度与所述透明膜层的厚度相同。

4.根据权利要求3所述的OLED器件封装用薄膜，其特征在于，所述阻挡膜层的宽度范围为0.5-1.5mm，所述阻挡膜层的厚度范围为15-20μm。

5.根据权利要求4所述的OLED器件封装用薄膜，其特征在于，所述阻挡膜层采用在高分子聚合物中添加碱土金属氧化物的材料制成，其中，所述高分子聚合物包括聚丙烯酰胺、聚偏二氟乙烯、聚丙烯酸酯或含氟丙烯酸嵌段共聚物，所述碱土金属氧化物包括氧化钙或氧化钡。

6.根据权利要求5所述的OLED器件封装用薄膜，其特征在于，所述阻挡膜层中，碱土金属氧化物在高分子聚合物中的比率范围为5%-20%。

7.根据权利要求6所述的OLED器件封装用薄膜，其特征在于，所述阻挡膜层中碱土金属氧化物在高分子聚合物中的比率是固定的；或者，碱土金属氧化物在高分子聚合物中的比率是渐变的，所述阻挡膜层远离所述透明膜层部位的碱土金属氧化物的比率大于靠近所述透明膜层部位的碱土金属氧化物的比率。

8.根据权利要求1-7任一项所述的OLED器件封装用薄膜，其特征在于，所述透明膜层和所述阻挡膜层在与所述待封装OLED器件的顶面或底面平行的一面上还形成有第一保护膜层，相对的另一面上还形成有第二保护膜层。

9.一种权利要求1-8任一项所述的OLED器件封装用薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S11）：形成第一保护膜层；

S12）：将所述第一保护膜层置于模具内，在所述第一保护膜层的上方分别形成透明膜层和阻挡膜层；

其中，所述模具包括至少一个高度不低于所述透明膜层或所述阻挡膜层的厚度的隔板，以不同时形成所述透明膜层和所述阻挡膜层；

S13）：在所述透明膜层与所述阻挡膜层的上方覆盖第二保护膜层。

10.一种OLED器件，其特征在于，所述OLED器件采用权利要求1-8任一所述的OLED器件封装用薄膜封装形成。

11.一种采用权利要求1-8任一项所述的OLED器件封装用薄膜封装OLED器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S21）：在第一基板上形成待封装OLED器件；

S22）：将所述OLED器件封装用薄膜转印到第二基板上；

S23）：将第一基板与第二基板对合，所述透明膜层覆盖于所述待封装OLED器件的顶面或底面，所述阻挡膜层围设于所述待封装OLED器件的发光区以外，使所述OLED器件封装用薄膜与所述第一基板和所述第二基板结合在一起；

S24）：通过UV光照方式或者加热方式固化所述OLED器件封装用薄膜。

12.根据权利要求11所述的封装OLED器件的方法，其特征在于，在步骤S22）之前，还进一步包括除去所述OLED器件封装用薄膜中第一保护膜层和第二保护膜层的步骤；步骤S21）中所述第一基板为包括有薄膜晶体管的阵列基板。