[发明专利]一种晶圆结构以及应用其的功率器件无效
| 申请号： | 201310069739.3 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103151371A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 廖忠平 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 以及 应用 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆结构，其特征在于，包括高浓度掺杂的第一掺杂层以及依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，
所述第三掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂层的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第二掺杂层在所述第一掺杂层上外延生长形成。
3.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第三掺杂层在第二掺杂层上外延生长形成或在第二掺杂层的表面通过离子注入的方式形成。
4.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第二掺杂层和第三掺杂层的材质与第一掺杂层的材质相同。
5.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第二掺杂层的杂质掺杂浓度为均匀分布。
6.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第三掺杂的杂质掺杂浓度为均匀分布或梯度分布。
7.一种功率器件，其特征在于，包括权利要求1-6所述的任一晶圆结构。
8.根据权利要求7所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件为绝缘栅双极型晶体管（IGBT）或金属氧化层半导体场效晶体管（MOSFET）。
9.根据权利要求8所述的功率器件，其特征在于，所述金属氧化层半导体场效晶体管（MOSFET）为垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOS）。
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